74AUP1G157GWの125サーキットボードは低い電力の2入力多重交換装置ICの破片を欠く

型式番号:74AUP1G157GW

原産地:マレーシア

最低順序量:10pcs

支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

供給の能力:5000PCS

受渡し時間:1日

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

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製品詳細会社概要

製品詳細

74AUP1G157

ローパワー2入力多重交換装置

1. 概説

74AUP1G157は高性能、ローパワー、最先端のCMOS互換性があるTTL家族より優秀なSiゲートCMOS装置低電圧である。Schmittの制動機の行為のまったく入力は0.8ボルトから3.6 V.に回路を全体のVCC範囲を渡るより遅い入力上昇そして落下時間に耐久性があるようにする。

この装置は0.8ボルトからの3.6 V.に全体のVCC範囲を渡る非常に低く静的な、動的パワー消費量を保障する。この装置はIOFFを使用して部分的なパワー適用のために十分に指定される。

IOFFの回路部品は動力を与えられるとき装置を通して現在の有害な逆流を防ぐ出力を不具にする。

74AUP1G157は共通データ選り抜き入力（S）の制御の下の2つのデータ入力からの選り抜きデータ（I0およびI1）単一の2入力多重交換装置である。

共通データ選り抜き入力の状態はデータが来る特定の記録を定める。出力（y）は本当の（非逆にされた）用紙の指定データを示したものだ。

2. 特徴

■0.8ボルトからの3.6ボルトへの広い供給電圧の範囲

■高いノイズ耐性

■JEDECの標準に従う:

◆JESD8-12 （1.3 V） ◆への0.8ボルトJESD8-11 （1.65のV）への0.9ボルト

◆JESD8-7 （1.95のV） ◆ JESD8-5 （2.7 V）への1.2ボルトへの1.8ボルト

◆JESD8-B （3.6 V）への2.7ボルト

■ESDの保護:

◆HBM JESD22-A114-Dのクラス3Aは4000ボルトを超過する

◆MM JESD22-A115-Aは200ボルトを超過する

◆CDM JESD22-C101-Cは1000ボルトを超過する

■低く静的なパワー消費量;ICC = 0.9のµA （最高）

■Latch-upの性能はJESD 78のクラスごとの100 mAをII超過する

■入力は電圧を3.6ボルトまで受け入れる

■低雑音のオーバーシュートおよびundershoot < 10="">

■IOFFの回路部品は部分的なパワーモード操作を提供する

■多数のパッケージの選択

■−40 °Cから+85 °Cおよび−40 °C +125 °Cにに指定される

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