半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS21091STRPBF
型式番号:IRS2109
原産地:日本
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:5200PCS
受渡し時間:1日
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正会員
Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRS21091 PbF
HALF-BRIDGEの運転者
特徴
·ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
·+600ボルトに完全に機能した
·否定的で一時的な電圧、免疫があるdV/dtに耐久性がある
·10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲
·両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
·3.3互換性があるV、5ボルトおよび15ボルトの入力論理
·交差伝導の防止の論理
·両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
·入力のとの段階の高側の出力
·論理および力の地面+/- 5ボルトのオフセット
·内部500 nsのdeadtime、
そして1つの外的なRDTの抵抗器を搭載するプログラム可能な5つまでのµs
·よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
·二重機能DT/SDは消す両方のチャネルを入った
·迎合的なRoHS
記述
IRS21091は高圧の、高速力MOSFETであり、依存した高のIGBTの参照される運転者および低側は出力チャネルを。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3ボルトの論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600までV.作動させる高側の構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
典型的な関係
半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS21091STRPBF
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