MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードは統合された半導体をプログラムした

型式番号:MC14584BDR2G
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8100pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードは統合された半導体をプログラムした


標準的な提供(熱い販売法)


部品番号。ブランドD/Cパッケージ
NJM2575F16533JRC05+SOT23-6
NJM2902M76000JRC16+SOP-14
NJM4565D62000JRC16+SOP-14
NJM4565M78000JRC13+SOP-8
NJM4741D5137JRC13+DIP-14
NJM4741M6091JRC16+SOP-14
NJW0302G/NJW0281G500016+TO-3P
NLCV32T-3R3M-PF8000TDK06+SMD
NLFC322522T-100K-PF12000TDK08+SMD
NLFC322522T-2R2M-PF20000TDK08+SMD
NPCE781LAODX2831NUVOTON10+QFP
NR6028T4R7M79000TAIYO11+SMD
NR6045T6R3M53000TAIYO14+SMD
NRF24L015018北欧人16+QFN20
NRF51822-QFAA7026北欧人16+QFN48
NSR0230P2T5G14000014+SOD-923
NSR0340V2T1G2100012+SOD-523
NT5DS16M16CS-6K7077NANYA09+TSOP-66
NT5DS64M8CS-5T4011NANYA16+TSOP-66
NTD3055L104T4G2022016+TO-252
NTD5802NT4G1929714+TO-252
NTD5865NLT4G6000014+TO-252
NTF3055-100T1G1610215+SOT-223
NTF3055L108T1G1171615+SOT-223
NTF3055L175T1G1617309+SOT-223
NTMD4820NR2G1512413+SOT-8
NTR1P02LT1G14300005+SOT-8
NTR2101PT1G2700007+SOT-23
NTR4501NT1G7600015+SOT-23
NTUD3169CZT5G1178716+SOT-963

MC14584B

Schmittの六角形の制動機


MC14584B六角形のSchmittの制動機はMOS P−channelおよび単一の単一構造のN−channelの強化モード装置によって組み立てられる。これらの装置は低い電力の消滅や高いノイズ耐性が望まれる第一次使用を見つける。MC14584BはMC14069UB六角形のインバーターの代わりに使用される高められたノイズ耐性がゆっくり変更の波形を「」平方することができるようにかもしれない。


特徴

•供給電圧の範囲= 3.0 Vdcから18 Vdc

•評価される温度較差上のLow−power 2つのTTLの負荷かLow−power 1つのショットキーTTLの負荷を運転することができる

•すべての入力の二重ダイオードの保護

•MC14069UBを取り替えるのに使用することができる

•より大きいヒステリシスのために、CD40106BおよびMM74Cl4のためのPin−for−Pinの取り替えであるMC14106Bを使用しなさい

•Pb−Freeのパッケージは利用できる


最高の評価(VSSに参照される電圧)

記号変数価値単位
VDDDCの供給電圧の範囲+18.0への−0.5V
Vin、Vout入力または出力電圧範囲(DCかトランジェント)−0.5へのVDD + 0.5V
Iin、IoutPinごとの入力または出力電流(DCかトランジェント)±10mA
PDパッケージ(ノート1) 1個あたりの電力損失、500MW
TA周囲温度の範囲+125への−55°C
Tstg保管温度の範囲+150への−65°C
TL鉛の温度(8−Secondはんだ付けすること)260°C

最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

1. 軽減する温度:

プラスチック「PおよびD/DW」のパッケージ:– 65°Cからの125°Cへの7.0 mW/°C


この装置は高く静的な電圧か電界による損傷に対して守るために保護回路部品を含んでいる。但し最高がこのhigh−impedance回路に電圧を評価したより高いあらゆる電圧の適用を避けるために、注意は取られなければならない。適切な処理のために、VinおよびVoutは範囲VSS (VinかVout) VDDに強いられるべきである。


未使用の入力は適切な論理の電圧レベルに常に結ばれなければならない(例えば、VSSVDD)未使用の出力は開いた残っていなければならない。


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MC14584BDR2Gの電子工学のサーキット ボードは統合された半導体をプログラムした

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