RDN100N20オフ・ラインのスイッチャIC電気IC力Mosfetのトランジスター切換え（200V、10A）
型式番号:RDN100N20
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8600pcs
受渡し時間:1日
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正会員
Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
切換え（200V、10A）
RDN100N20
特徴
1) 低いオン抵抗。
2) 低い入力キャパシタンス。
3) 静電気から傷つくべき優秀な抵抗。
適用
切換え
構造
ケイ素のN-channel
MOS FET
絶対最高評価（Ta=25°C）
| 変数 | 記号 | 限界 | 単位 | |
| 下水管源の電圧 | VDSS | 200 | V | |
| ゲート源の電圧 | VGSS | ±30 | V | |
| 現在を流出させなさい | 連続的 | ID | 10 | |
| 脈打つ | IDP *1 | 40 | ||
| 逆の下水管の流れ | 連続的 | IDR | 10 | |
| 脈打つ | IDRP *1 | 40 | ||
| なだれの流れ | IAS *2 | 10 | ||
| なだれエネルギー | EAS *2 | 120 | mJ | |
| 全体の電力損失（TC=25°C） | PD | 35 | W | |
| チャネルの温度 | Tch | 150 | °C | |
| 保管温度 | Tstg | +150への−55 | °C | |
∗1 Pwの≤ 10µsの使用率の≤ 1%
∗2 L 4.5mH、VDD=50V、RG=25Ω、1Pulse、Tch=25°C
外のり寸法（単位:mm）
同等の回路
∗Aの保護ダイオードはゲートと源ターミナルの間にプロダクトが使用中のとき静電気からダイオードを保護するために含まれている。固定電圧が超過するとき保護回路を使用しなさい。
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| MC14541BCPG | 7328 | 16+ | すくい | |
| MAX187BCPA+ | 2250 | 格言 | 14+ | すくい |
| BLF177 | 580 | 12+ | TO-59 | |
| LM2678SX-3.3 | 2000年 | NSC | 14+ | TO-263-7 |
| RA60H1317M1A | 800 | MITSUBISH | 14+ | モジュール |
| MAX3095CSE+ | 9500 | 格言 | 16+ | SOP |
| MAX13088EESA | 5050 | 格言 | 15+ | SOP |
| MAX13088EASA+ | 5000 | 格言 | 16+ | SOP |
| MC68HC908AZ60CFU | 3742 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| LM833DR2G | 10000 | 14+ | SOP-8 | |
| MAX3072EESA+ | 9050 | 格言 | 16+ | SOP |
| MC68HC08AZ32ACFU | 2594 | FREESCALE | 16+ | QFP |
| MCP6004T-I/ST | 5434 | マイクロチップ | 13+ | TSSOP |
| CY62128DV30LL-55ZXI | 1500 | CYPRESS | 13+ | TSOP32 |
| PDTC143TE | 20000 | 16+ | SOT | |
| MAX8815AETB+T | 9383 | 格言 | 15+ | TDFN |
| PI74AVC164245AEX | 8700 | PERICOM | 15+ | TSSOP |
| OPA735AIDR | 8220 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| LT1460EIS8-5 | 9774 | 線形 | 14+ | SOP-8 |
| MRF559 | 6449 | MOT | 14+ | TO-50 |
| LT1013CDR | 7970 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
RDN100N20オフ・ラインのスイッチャIC電気IC力Mosfetのトランジスター切換え（200V、10A）
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