IPD60R380C6 RecitifierのダイオードのElectrnocsの構成のトランジスター破片ICの電子工学
型式番号:IPD60R380C6
原産地:中国
最低順序量:50pcs
支払の言葉:T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:34000pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IPD60R380C6 RecitifierのダイオードのElectrnocsの構成のトランジスター破片ICの電子工学
MOSFETの金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ
特徴
•まさに低いFOM Rdson*QgおよびEossによる極端に低い損失
•非常に高い代わりの険しさ•使いやすい/ドライブ
•JEDEC1は）のPbなしのめっき、ハロゲンfree2修飾した）
記述
下水管ピン2ゲート ピン1源ピン3 600V CoolMOS™ C6力トランジスターIPD60R380C6、IPI60R380C6 IPB60R380C6のIPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalDataシート2のRev. 2.0、2009-08-27
1つの記述CoolMOS™はsuperjunction （SJ）の主義に従って設計され、技術によって開拓される高圧力のMOSFETsのための革命的な技術である。
CoolMOS™ C6シリーズは一流の革新と一流SJ MOSFETの製造者の経験を結合する。使い易さを犠牲にしていない間生じる装置速い切換えSJ MOSFETのすべての利点を提供するため。
極端に低い切換えおよび伝導の損失は転換の適用さらにもっと、ライター有効、より密集したようにおよびクーラーをする。
適用
例えばPC SilverboxのためのPFCの段階、懸命に転換PWMの段階および共鳴切換えPWMの段階、アダプター、LCD及びPDP TV、照明、サーバー、電気通信、UPSおよび太陽。
絶対最高評価（1）
VDS @ Tj、最高の650のV RDS （）、最高の0.38の Qgのタイプ32 NC IDの脈拍30 A Eossの@ 400V 2.8 µJ ボディ ダイオードdi/dt 500 A/µs |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | 中国 | |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | 中国 |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | 中国 |
| DIODO DF06S | 3000 | 9月 | 中国 |
| 帽子0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | 日本 |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | ダイオード | マレーシア |
| INDUTOR.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | 日本 |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | 中国 |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | 中国 |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | マレーシア |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | 中国 |
| DIODO UF4007の弾薬 | 500000 | MIC | 中国 |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | 台湾 |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L | 500000 | YAGEO | 中国 |
| ACOPLADOR OTICO。MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | 台湾 |
| TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | ダイオード | マレーシア |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | マレーシア |
| C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | チタニウム | タイ |
| C.I MC33298DW | 1000 | MOT | マレーシア |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | マレーシア |
| C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | 日本 |
| C.I HM6116P-2 | 5000 | 日立 | 日本 |
| C.I DS1230Y- 150 | 2400 | ダラス | フィリピン |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | 台湾 |
| トライアックBT151-500R | 500000 | モロッコ | |
| C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | 台湾 |
| トライアックTIC116M | 10000 | チタニウム | タイ |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | マレーシア |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | マレーシア |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | 台湾 |
| C.I CD40106BE | 250 | チタニウム | タイ |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | シャープ | 日本 |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | マレーシア |
| CI LP2951-50DR | 1200 | チタニウム | タイ |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | マレーシア | |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | マレーシア | |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | 台湾 |
| C.I TPIC6595N | 10000 | チタニウム | タイ |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | マレーシア |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | 中国 |
| C.I CD4060BM | 500 | チタニウム | タイ |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | マレーシア |
| DIODO W08 | 500 | 9月 | 中国 |
| C.I SN74HC373N | 1000 | チタニウム | フィリピン |
| 光検出器2SS52M | 500 | ハネウェル社 | 日本 |
| C.I SN74HC02N | 1000 | チタニウム | タイ |
| C.I CD4585BE | 250 | チタニウム | タイ |
| C.I MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | ミクロン | マレーシア |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | マレーシア |
IPD60R380C6 RecitifierのダイオードのElectrnocsの構成のトランジスター破片ICの電子工学
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