MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めた

型式番号:MLP1N06CLG
原産地:
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:5200PCS
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

内部的には締め金で止められた、現在の限られたN-Channelの論理のレベル力MOSFET


これらのSMARTDISCRETES装置は短絡の保護のための現在の制限、ESDの保護のための必要なゲートに源クランプおよび過電圧の保護のためのゲートに下水管クランプを特色にする。MCUの出力、40のkΩのゲートのpulldownの抵抗器への付加的なゲート シリーズ抵抗は浮遊ゲートの状態を避けるためにインターフェイスが推薦されるがとき要求されない。


内部ゲートに源およびゲートに下水管クランプは装置が外的で一時的な抑制の部品の使用なしで加えられるようにする。源クランプ2.0までkVゲートに静電気のゲートの電圧圧力からMOSFETの入力を保護する。ゲートに下水管クランプはMOSFETを圧力から抜ける誘導負荷と起こる下水管のなだれの保護する。この独特な設計は本質的に実用温度の独立者である電圧締め金で止めることを提供する。


•温度によって償われるゲートに下水管クランプは装置に適用される電圧圧力を限り、過電圧から負荷を保護する

•統合されたESDのダイオードの保護

•制御された切換えはRFIを最小にする

•低い境界の電圧はマイクロプロセッサにインターフェイス力の負荷を可能にする


最高の評価

評価記号価値単位
下水管に源の電圧VDSS締め金で止められるVdc

下水管にゲートの電圧

(RGS = 1.0 MΩ)

VDGR締め金で止められるVdc

ゲートに源の電圧

—連続的

VGS±10Vdc
現在を流出させなさい—連続的な下水管の流れ—単一の脈拍

ID

IDM

Self-limited 1.8Adc
全体の電力損失PD40ワット
静電放電の電圧(人体モデル)ESD2.0kV
作動および貯蔵の接合部温度の範囲TJ、Tstg– 50から150°C

物品目録

NL17SZ74USG1000016+US8
MC9S08AC32CFUE4546FREESCALE12+QFP
3月4日SM2912小型16+SOT
MRF9030LR1647FREESCALE13+NI-360
MRF373AL442FSL16+SMD
L6205N2168ST15+すくい
MC9S08JM60CLD4600FREESCALE14+LQFP
MCP6002-I/P10000マイクロチップ16+すくい
PIC12F609-I/SN5712マイクロチップ16+SOP
CY7C65215-32LTXI2575CYPRESS15+QFN32
OPA227U6800チタニウム13+SOP
MIC4680YM10000MICREL16+SOP
MBR130T1G2500015+SOD-123
PIC18F2220-I/SP4668マイクロチップ15+すくい
MAX253CSA+T8650格言14+SOP
PE-680685600脈拍16+SMD
MC34072PG343610+すくい
MC14046BCP342410+すくい
PIC18F24J10-I/SO4623マイクロチップ10+SOP
LMH0041SQE/NOPB763チタニウム14+WQFN-48
MC78L05ACHX30000フェアチャイルド10+SOT-89
PIC16F1827-I/SO5288マイクロチップ16+SOP
MIC5205-3.3YM538000MICREL16+SOT23-5
LNK625DG656114+SOP-7
PCI9656-BA66BIG340PLX14+BGA
NCP500SN18T1G1000016+SOT23-5
China MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めた supplier

MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めた

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