TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター
型式番号:TLP734
原産地:元の工場
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:6800pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
東芝のPhotocoupler GaAs Ired&Photo−Transistor
TLP733、TLP734
事務機器
世帯の使用装置
半導体継電器
転換の電源
東芝TLP733およびTLP734は光学的に6つの鉛のプラスチックすくいのガリウム砒素の赤外線出るダイオードにつながれるphoto−transistorから成っている。
TLP734はhigh−EMIの環境のためのno−baseの内部関係である。
- Collector−emitterの電圧:55ボルト（min.）か。
- 現在の移動比率:50% （min.）
- ランクGB:100% （min.）か。
- ULは確認した:UL1577、ファイルNO E67349か。
- BSIは承認した:BS EN60065:1994年
- 証明書第7364
- BS EN60950:1992年
- 証明書第7365か。
- SEMKOは承認した:SS4330784
- 証明書第9325163、9522142か。
- 分離の電圧:4000 Vrms （min.）か。
- 選択（D4）タイプ
- VDEは承認した:DIN VDE0884/06.92、
- 証明書第74286、91808
- 最高の作動の絶縁材の電圧:630、890 VPK
- 電圧に最も高く許された:6000、8000 VPK
- VDEは承認した:DIN VDE0884/06.92、
VDE0884が承認したときに（ノート）タイプはである必要、示す「選択（D4）」を
7.62 mmピッチ 10.16 mmピッチ
標準的なタイプ TLP×××Fのタイプか。
表面漏れ間隔 :7.0 mm （min.） 8.0 mm （min.）
整理 :7.0 mm （min.） 8.0 mm （min.）
内部表面漏れ道 :4.0 mm （min.） 4.0 mm （min.）
絶縁材の厚さ :0.5 mm （min.） 0.5 mm （min.）
最高の評価（Ta = 25°C）
| 特徴 | 記号 | 評価 | 単位 | |
| LED | 前方流れ | 60 | mA | |
| 前方現在の軽減（Taの≥ 39°C） | ∆IF/°C | か。-0.7 | mA/°C | |
| 現在の先のピーク（100つのµsの脈拍、100 pps） | IFP | 1 | ||
| 逆電圧 | VR | 5 | V | |
| 接合部温度 | Tj | 125 | °C | |
| 探知器 | コレクターか。エミッターの電圧 | VCEO | 55 | V |
| コレクターか。基礎電圧（TLP733） | VCBO | 80 | V | |
| エミッターか。コレクター電圧 | VECO | 7 | V | |
| エミッターか。基礎電圧（TLP733） | VEBO | 7 | V | |
| コレクター流れ | IC | 50 | mA | |
| 電力損失 | PC | 150 | MW | |
| 軽減する電力損失（Taの≥ 25°C） | ∆PC/°C | -1.5 | MW/°C | |
| 接合部温度 | Tj | 125 | °C | |
| 保管温度の範囲 | Tstg | -か。55~125 | °C | |
| 実用温度範囲 | Topr | か。-40~100 | °C | |
| 鉛のはんだ付けする温度（10 s） | Tsol | 260 | °C | |
| 総パッケージの電力損失 | PT | 250 | MW | |
| 軽減する総パッケージの電力損失（Taの≥ 25°C） | ∆PT/°C | -2.5 | MW/°C | |
| 分離の電圧（AC、1 min.、R.H.≤ 60%） | BVS | 4000 | Vrms | |
重量:0.42 g
Pin構成（平面図）
TLP733
1:陽極2:陰極3:NC 4:エミッター5:コレクター6:基盤
TLP734
1:陽極2:陰極3:NC 4:エミッター5:コレクター6:NC
TLP734力Mosfetのトランジスター新しい及び元のGaAs Ired及び写真のトランジスター
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