IRLR2905TRPBF TO-252力Mosfetのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学
型式番号:IRLR2905TRPBF
原産地:台湾
最低順序量:200pcs
支払の言葉:T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:5000PCS
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRLR2905TRPBF TO-252力Mosfetのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学
IRLR2905TRPBF
±15kV ESDは、+3Vに+5.5V、1Microamp、250kbpsのRS-232送信機/受信機保護した
論理レベルのゲート ドライブか。
超低いオン抵抗か。
表面の台紙（IRLR2905）か。
まっすぐな鉛（IRLU2905）か。
高度の加工技術
速い切換えか。評価される十分になだれ
無鉛
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な装置を、デザイナーに与える。D-PAKは蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術を使用して表面取り付けのために設計されている。まっすぐな鉛版（IRFUシリーズ）は適用を取付けるによ穴のためである。電力損失のレベルは1.5ワットまで典型的な表面の台紙の塗布で可能である。
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TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 42 ID @ TC = 100°C
連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 30 A
脈打つIDMは現在の160 PDを@TC = 25°C流出させる
電力損失110 Wの線形軽減は0.71 With°Cを考慮する
VGSのゲートに源の電圧± 16 V
EASの単一の脈拍のなだれエネルギーか。210 mJ
IARのなだれの流れ25反復的な耳
なだれエネルギー11 mJ dv/dtピークのダイオードの回復dv/dtか。5.0 V/ns
TJの作動の接続点そして-55への+ 175
TSTGの保管温度の範囲
10秒300の（場合からの1.6mm） °Cのためのはんだ付けする温度、
物品目録の部分
| INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
| INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
| C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | 線形 | LTC4 | SOT23-5 |
| C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | 線形 | LTD6 | SOT23-5 |
| C.I SN74HC273DWR | チタニウム | 87D71RK/85FKF2K | SOP-20 |
| RES 0R 5% RC0805JR-070RL | YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| RES 49R9 1% RC0805FR-0749R9L | YAGEO | 1639 | SMD0805 |
| RES 6K8 1% RC0805FR-076K8L | YAGEO | 1633 | SMD0805 |
| RES 0R 5% RC0603JR-070RL | YAGEO | 1645 | SMD0603 |
| 帽子0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | サムスン | AC7JO2H | SMD0805 |
| DIODO B330A-13-F | ダイオード | 1522/B330A | SMA |
| C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | DIP-18 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| C.I CD4052BM96 | チタニウム | 69P1HQA | SOP-16 |
| RES 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
| RES 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
| 帽子0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
| RES 0805 1K5 1% RC0805FR-071K5L | YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| RES 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L | YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| C.I SN74LS373N | チタニウム | 1606+5 | DIP-20 |
| OPTOACOPLADOR 4N25M | FSC | 629Q | DIP-6 |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L | YAGEO | 1642 | SMD0805 |
| RES 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L | YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| RES 0805 75R 1% RC0805FR-0775RL | YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| 帽子0805 220PF 50V NPO 08055A221JAT2A | AVX | 1633 | SMD0805 |
| C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
| C.I LM336D-2.5 | チタニウム | 336-25/68MA6EG. | SOP-8 |
| C.I TPS61041DBVR | チタニウム | PHPI | SOT23-5 |
| DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | DO-41 |
| C.Iのコンバーター MCP3201-CI/P | マイクロチップ | 1621SOD | DIP-8 |
IRLR2905TRPBF TO-252力Mosfetのトランジスター集積回路の破片ICの電子工学
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