IRF7240TRPBF力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター
型式番号:IRF7240TRPBF
原産地:元の工場
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8600pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| NDT456P | 5000 | フェアチャイルド | 16+ | SOP8 |
| OB2268CCPA | 5000 | OB | 16+ | SOP8 |
| P2003EVG | 5000 | ニコス | 13+ | SOP8 |
| P6SMB27CA | 5000 | VISHAY | 15+ | SMB |
| P89LPC932A1FDH | 5000 | 16+ | TSSOP | |
| PC400J00000F SOP-5 | 5000 | シャープ | 16+ | SOP-5 |
| PIC16C711-04/P | 5000 | マイクロチップ | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F716-I/P | 5000 | マイクロチップ | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F84A-04I/SO | 5000 | マイクロチップ | 14+ | SOP18 |
| PIC16F886-I/SP | 5000 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
| PIC18F4431-I/PT | 5000 | マイクロチップ | 16+ | TQFPQFP |
| RFD15P05SM | 5000 | INTERSIL | 13+ | TO-252 |
| RT8010GQW | 5000 | RICHTEK | 15+ | WDFN |
| SFH6156-4 | 5000 | VISHAY | 16+ | SOP4 |
| SI4880DY-T1-E3 | 5000 | VISHAT | 16+ | SOP-8 |
| SLF6028T-100M1R3-PF | 5000 | TDK | 14+ | SMD |
| SM15T15A | 5000 | ST | 14+ | DO-214AB |
| SM6S24A | 5000 | VISHAY | 14+ | DO-218 |
| SMAJ15A | 5000 | VISHAY | 16+ | SOD-214A |
| SMBJ6.0A | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| SMCJ54A-E3 | 5000 | VISHAY | 13+ | DO-214A |
| SN74AHC123ADR | 5000 | チタニウム | 15+ | SOP-16 |
| SN74HC132N | 5000 | チタニウム | 16+ | SOP |
| SN74HC148Nのチタニウム0401 | 5000 | チタニウム | 16+ | SOP-16 |
| ST232ABDR | 5000 | ST | 14+ | SMD |
| ST232CWR | 5000 | ST | 14+ | SOP16 |
| STM8S103F2P6 | 5000 | ST | 14+ | SSOP |
| STP75NF75 | 5000 | ST | 16+ | TO-220 |
| STTH1R06U | 5000 | ST | 16+ | SMB |
| STU309D | 5000 | SAMHOP | 13+ | SOT-252 |
IRF7240PbF
HEXFETか。力MOSFET
- 超低いオン抵抗か。
- P-Channel MOSFETか。
- 表面の台紙か。
- テープ及び巻き枠で利用できるか。
- 無鉛
| VDSS | 最高RDS （） | ID |
| -40V | 0.015@VGS = -10V | -10.5A |
| 0.025@VGS = -4.5V | -8.4A |
記述
国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。この利点は電池および負荷管理塗布の使用に非常に有効な装置をデザイナーに与える。
SO-8は高められた熱特徴およびそれをいろいろな力の適用で理想的にさせる多数ダイスの機能のためのカスタマイズされたleadframeを通して変更された。これらの改善を使うと、多数装置は劇的に減らされた板スペースを使うと適用で使用することができる。パッケージは蒸気段階、赤外線、または波のはんだ付けする技術のために設計されている
か。絶対最高評価
| 変数 | 最高。 | 単位 | |
| VDS | 下水管の源の電圧 | -40 | V |
| ID @ TA = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V | -10.5 | |
| ID @ TA = 70°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ -10V | -8.6 | |
| IDM | 脈打った下水管の流れ | -43 | |
| PD @TA = 25°C | 電力損失 | 2.5 | W |
| PD @TA = 70°C | 電力損失 | 1.6 | W |
| 線形軽減の要因 | 20 | mW/°C | |
| VGS | ゲートに源の電圧 | ± 20 | V |
| TJ、TSTG | 接続点および保管温度の範囲 | -55に+ 150 | °C |
SO-8パッケージの輪郭
次元はミリメートル（インチ）で示されている
SO-8部分の印
例:これはであるIRF7101 （MOSFET）
SO-8テープおよび巻き枠
次元はミリメートル（インチ）で示されている
IRF7240TRPBF力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター
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