NTR2101PT1G力MosfetのトランジスタープログラムIC破片の記憶IC

型式番号:NTR2101PT1G

原産地:マレーシア

最低順序量:100pcs

支払の言葉:T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン

供給の能力:30000PCS

受渡し時間:1日

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

小さい信号MOSFET −8.0 V、−3.7 A、単一のP−Channel、SOT−23

特徴

•低いRDSのための導く堀の技術（）

•−1.8 Vは低電圧のゲートドライブのために評価した

•小さい足跡のためのSOT−23表面の台紙（3つx 3つのmm）

•Pb−Freeのパッケージは利用できる

適用

•高い側面の負荷スイッチ

•DC−DCの転換

•携帯電話、ノート、PDAs、等。

絶対最高評価（1）

Drain−to−Sourceの電圧VDSS −8.0 V

Gate−to−Sourceの電圧VGS ±8.0 V

連続的な下水管の流れ（ノート1） tの≤ 10 s TA = 25°C ID −3.7 TA = 70°C −3.0

電力損失（ノート1） tの≤ 10 s PD 0.96 W

現在の脈打った下水管TP = 10 s IDM −11 A

作動の接続点および保管温度TJ、150 °CへのTSTG −55

ソース電流（ボディダイオード）は−1.2 Aである

はんだ付けする目的（10 sのための言い分からの1/8の″） TL 260の°Cのための鉛の温度

在庫の部分