IRFB4229PBF力MosfetモジュールPDPスイッチN-Channel MOSFETのトランジスター

型式番号:IRFB4229PBF
原産地:元の工場
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:9000個
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

PDPスイッチIRFB4229PbF

か。か。か。か。か。か。か。

特徴か。

• 高度の加工技術か。

•PDPのために最大限に活用される主変数はスイッチ塗布支え、エネルギー回収、そしてパスか。

•PDPの電力損失を減らす低いEPULSEの評価は支える、

エネルギー回収およびパス スイッチ塗布か。

•速い応答のための低いQGか。

•信頼できる操作のための高く反復的なピーク電流の機能か。

•速い切換えのための短い落下及び上昇時間か。

•175°C改善された険しさのための作動の接合部温度か。

•強さおよび信頼性のための反復的ななだれの機能


主変数

VDS分250V
VDS (なだれ)のタイプ。300V
RDSの()タイプ。@ 10V38
最高IRP @ TC = 100°C91
最高TJ175°C

記述か。か。か。

このHEXFET®力MOSFETはSustainのためにとりわけ設計されている;プラズマ・ディスプレイのパネルのエネルギー回収及びパス スイッチ塗布。このMOSFETはケイ素区域ごとの低いオン抵抗および低いEPULSEの評価を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。このMOSFETの付加的な特徴は175°C作動の接合部温度および高く反復的なピーク電流の機能である。これらの特徴はこのMOSFETに適用を運転するPDPのための非常に能率的で、強い信頼できる装置を作るために結合する。


絶対最高評価

変数最高。単位
VGSゲートに源の電圧±30V
ID @ TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V46
ID @ TC = 100°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V33
IDM脈打った下水管の流れ180
IRP @ TC = 100°C反復的なピーク電流か。91
PD @TC = 25°C電力損失330W
PD @TC = 100°C電力損失190W
線形軽減の要因2.2With°C
TJ TSTG作動の接続点および保管温度の範囲-40に+ 175°C
10秒のはんだ付けする温度300°C
トルク、6-32またはM3ねじを取付ける10lbin (1.1Nm)N

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ
HIP4080AIBZT3925INTERSIL15+SOP
TNY266PN397016+DIP7
LM7912CT3990NS16+TO-220
HCNW45033991AVAGO14+SOP8DIP8
ICL7650SCBA3996INTERSIL14+SOP-8
LM2575HVT-ADJ3997NS14+TO-220
MUR3020PT399716+TO-3P
IRFR53053998IR16+TO-252
MJ802399813+TO-3
LBAT54XV2T1G399915+SOD-523
VN10LFTA3999ZETEX16+SOT23
1N5341B400016+CASE17
1N5343B400014+DO-02
2SC23834000東芝14+TO-92
2SC38074000鳥取三洋電機14+TO-126
2SK170BL4000東芝16+TO-92
74HC174D400016+SOP-16
74LVC245AD400013+SOP
AD8572ARZ4000広告15+SOP8
AT24C512C-SSHD-T4000ATEML16+SOP8
BCV48400016+SOT-89
BD1374000ST14+TO-126
BTS721L1400014+SOP-20
CD4027BE4000チタニウム14+すくい
CPC1017N4000ドクレア16+SOP4
IRF73074000IR16+SOP8
IRFR2104000IR13+SOT-252
LT1963AEST-3.34000LT15+SOT-223
MIC4424BN4000MICREL16+DIP8
MICROSMD050F-24000TYCO16+SMD

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IRFB4229PBF力MosfetモジュールPDPスイッチN-Channel MOSFETのトランジスター

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