IRFP150Nのトランジスター電子工学の部品の電子デバイスのN-Channel力MOSFET
型式番号:IRFP150N
原産地:マレーシア
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:6300pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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内 48 時間
製品詳細
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製品詳細
IRFP150Nのトランジスター電子工学の部品の電子デバイス
N-Channel力MOSFET
特徴
•超低いオン抵抗- rDS （） = 0.030Ω、VGS = 10V
•シミュレーション モデル
- 温度によって償われるPSPICE™およびSABER©電気モデル
- スパイスおよびSABER©の熱インピーダンス モデル
- www.fairchildsemi.com
•ピーク電流対脈拍幅のカーブ
•UISの評価のカーブ
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | マイクロチップ | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR.PC817A | シャープ | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANS 2SS52M | ハネウェル社 | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | チタニウム | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | チタニウム | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | マイクロチップ | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | チタニウム | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| 帽子1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | サムスン | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| 帽子ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | 鍋 | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | マイクロチップ | 1636M6G | SOP-8 |
| 帽子ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | ニチコン | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | チタニウム | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| 帽子CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| 帽子CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | サムスン | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| RES 3K3 5%の場合0805RC0805JR-073K3L | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| トライアックBTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| 帽子0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
絶対最高評価TC = 25oC、他に特に規定がなければ
源の電圧（ノート1）……………………流出させなさい。に。VDSS 100 V
電圧をゲートで制御するために流出させなさい（RGS = 20kΩ） （ノート1）……………… VDGR 100 V
源の電圧へのゲート…………………。………。VGS ±20 V
現在の連続的流出させなさい（TC= 25oC、VGS = 10V） （図2）…。………… ID
連続的（TC= 100oC、VGS = 10V） （図2）………… ID
脈打った下水管の流れ……………………。.IDM 44 31
図4 Aによって脈打つなだれの評価………………… .UIS
図6、14、15電力損失………………… PD
25oC…………………… 155の上で1.03 W W/oCを軽減しなさい
……… TJ、TSTG -55への175 oc作動し、保管温度
10sのための言い分からの0.063in （1.6mm）のはんだ付けする鉛のための最高温度。…。.TL
10sのためのパッケージ ボディは、Techbrief TB334……… Tpkgを300 260 oc oc見る
IRFP150Nのトランジスター電子工学の部品の電子デバイスのN-Channel力MOSFET
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