IRFZ44NPBF力Mosfetのトランジスター力mosfet IC電気IC

型式番号:IRFZ44NPBF
原産地:元の工場
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8700pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ
STU404D5000SAMHOP15+TO252
TB6560AHQ5000東芝16+ジッパー
TC4001BP5000東芝16+DIP-14
TCA7855000INFINECN14+すくい
TCN75AVOA5000マイクロチップ14+SOIC-8
TCN75AVOA7135000マイクロチップ14+SOP8
TDA1524A500016+すくい
TL072CP5000チタニウム16+DIP8
TLP1275000東芝13+SOP
TLP620-45000東芝15+すくい
TOP244YN500016+TO-220
TS274CDT5000ST16+SOP-14
TS924AIDT5000ST14+SOP-14
UC3844BD ST5000ST14+SOP8
UDA1341TS500014+SSOP28
VIPER22A5000ST16+DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R15000TDK16+SMD
PBSS5160T500113+SOT-23
PL23035001多産15+SSOP
NDT451AN5002FSC16+SOT223
MAX1681ESA5008格言16+SOP8
HFJ11-2450E-L125009HALOELECT14+RJ45
L65985010ST14+SOP16
ZM4744A5100VISHAY14+LL41
HCNW1365101AVAGO16+DIP8
CQ1565RT5111フェアチャイルド16+TO-220
FZT758TA5111ZETEX13+SOT223
LM324DR5111チタニウム15+SOP-14
TFA9842511216+ジッパー
MAX483ESA5117格言16+SOP-8

IRFZ44NPbF

HEXFET®力MOSFET


  • 高度の加工技術か。
  • 超低いオン抵抗か。
  • 動的dv/dtの評価か。
  • 175°C実用温度か。
  • 速い切換えか。
  • 評価される十分になだれか。
  • 無鉛

VDSS = 55V

RDS () = 17.5mΩ

ID = 49A


記述

国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。


TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。


絶対最高評価

変数最高。単位
ID @ TC = 25°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V49
ID @ TC = 100°C連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V35
IDM脈打った下水管の流れか。160
PD @TC = 25°C電力損失94W
線形軽減の要因0.36With°C
VGSゲートに源の電圧± 20V
IARなだれの流れか。25
反復的ななだれエネルギーか。9.4mJ
dv/dtピーク ダイオードの回復dv/dt5.0V/ns

TJ

TSTG

作動の接続点

保管温度の範囲

-55に+ 175°C
10秒のはんだ付けする温度、300 (場合からの1.6mm)°C
トルク、6-32またはM3 srewを取付ける10のlbf•(1.1N•m)

TO-220ABのパッケージの輪郭

次元はミリメートル(インチ)で示されている


TO-220ABの部品の示す情報


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