BTA16-600BRG力Mosfetのトランジスター力mosfet ICの標準的なトライアック
型式番号:BTA16-600B
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:7600pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MAX6301CSA | 3120 | 格言 | 14+ | SOP8 |
| MUR1520G | 3120 | 14+ | TO-220 | |
| TPS71501DCKR | 3120 | チタニウム | 14+ | SC70-5 |
| ULN2803LW | 3120 | アレグロ | 16+ | SOP18 |
| LTC1728ES5 | 3122 | 線形 | 16+ | SOT153 |
| NC7WZ16P6X | 3125 | フェアチャイルド | 13+ | SOT-363 |
| MBi5026GF | 3130 | MBI | 15+ | SOP24 |
| DS15BA101SDE | 3144 | NS | 16+ | LLP16 |
| L6569AD013 | 3145 | ST | 16+ | SOP-8 |
| PIC12F683-I/P | 3145 | マイクロチップ | 14+ | DIP8 |
| IR2110S | 3168 | IR | 14+ | SOP16 |
| HD74LS48P | 3174 | 日立 | 14+ | すくい |
| 2N5458 | 3200 | フェアチャイルド | 16+ | TO-92 |
| 2SC2655 | 3200 | 東芝 | 16+ | TO-92L |
| 2SK405 | 3200 | NEC | 13+ | SOT523 |
| ATMEGA64-16AU | 3200 | ATMEL | 15+ | QFP |
| B3F-1000 | 3200 | OMRON | 16+ | すくい |
| CD4046BE | 3200 | チタニウム | 16+ | すくい |
| HCPL4503 | 3200 | FSC | 14+ | すくい |
| HEF4538BP | 3200 | 14+ | すくい | |
| IPD090N03 | 3200 | 14+ | TO-252 | |
| IRL3803S | 3200 | IR | 16+ | TO-263 |
| KA3525 | 3200 | FSC | 16+ | DIP-16 |
| L9822EPD | 3200 | ST | 13+ | SOP-20 |
| LM4040CIM3-2.5 | 3200 | NS | 15+ | SOT-23 |
| MAX3386ECUP-T | 3200 | 格言 | 16+ | TSSOP |
| MC14504BCP | 3200 | MOT | 16+ | すくい |
| PIC18F8680-I/PT | 3200 | マイクロチップ | 14+ | QFP |
| SG3525 | 3200 | ST | 14+ | すくい |
| SN74AHCT594PWR | 3200 | チタニウム | 14+ | TSSOP |
BTB16 B
標準的なトライアック
特徴
. 高いサージ電流の機能
. 代わり:（dV/dt） c > 10V/µs
. BTA家族:
絶縁の電圧= 2500V （RMS）
（ULは確認した:E81734）
記述
BTA/BTB16 Bのトライアック家族は高性能ガラス不動態化されたPNPNの装置である。
これらの部品は高いサージ電流の機能が要求される一般目的の適用のためのsuitablesである。誘導か抵抗負荷の位相制御そして静的な切換えのような適用。
絶対評価（限界値）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 | ||
| IT （RMS） | RMSのオン州の流れ （360°伝導の角度） | BTA | Tc = 80 °C | 16 | |
| BTB | Tc = 90 °C | ||||
| ITSM | 非反復的なサージのピーク オン州の流れ （Tj最初の= 25°C） | TP = 8.3氏 | 170 | ||
| TP = 10氏 | 160 | ||||
| I2つのt | I2つのtの価値 | TP = 10氏 | 128 | 2s | |
| dI/dt | オン州の流れの上昇の重大な率 ゲートの供給:IG = 500mA diG/dt = 1A/µs | 反復的 F = 50のHz | 10 | A/µs | |
| 非反復的 | 50 | ||||
Tstg Tj | 貯蔵および作動の接合部温度の範囲 | - 40への+ 150 - 40への+ 125 | °C | ||
| TL | 場合からの4.5 mmの10 sの間にはんだ付けすることのための最高の鉛の温度 | 260 | °C | ||
パッケージの機械データ
TO220ABのプラスチック
BTA16-600BRG力Mosfetのトランジスター力mosfet ICの標準的なトライアック
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