3362P-1-103 Mosfet力モジュールの集積回路の破片ICの電子工学

型式番号:3362P-1-103
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最低順序量:100pcs
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供給の能力:45000PCS
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製品詳細
3362P-1-103 Mosfet力モジュールの集積回路の破片ICの電子工学

物品目録の部分

DIODO BAV9915+SOT-23
C.I TLC072CDGNRチタニウム05+MSOP-8
C.I LM2936Z-5,0NSC09+TO-92
C.I TLC072CDGNRチタニウム05+MSOP-8
C.I TL074CNチタニウム12+DIP-14
C.I CD4093BM96チタニウム16+SOP-14
C.I SN7407Nチタニウム16+DIP-14
BD9876EFJ-E2ROHM16+HTSOP-8
LD1086V33ST15+TO-220
74LVC07AD16+SOP-14
CAT811STBI-GT316+SOT-143
ACOPLADOR 4N37FSC16+DIP-6
C.I 74LVC04AD16+SOP-14
C.I 74LVC86AD06+SOP-14
帽子470PF 50V 10% X7R GRM188R71H471KA01D村田16+SMD0603
帽子10PF 50V 10% X7R GRM1885C1H100JA01D村田16+SMD0603
C.I MB85RS256BPNF-G-JNERE1冨士通15+SOP-8
帽子0603 18PF 50V NPO 06035A180JAT2AAVX16+SMD0603
帽子0603 6.8NF 50V X7R CL10B682KB8NNNCサムスン16+SMD0603
帽子20PF 50V 5% 0603 GRM1885C1H200JA01D村田16+SMD0603
CONECTOR J1011F01PNL脈拍16+RJ45
DIODO S3A-E3/57TVISHAY16+SMC
DIODO RB056L-40TE25ROHM16+SMA
TRANS NTR2101PT1G16+SOT-23
TRANS IRF740PBFVISHAY13+TO-220
RES 0805 10K 5%
RC0805JR-0710KL
YAGEO16+SMD0805
抵抗器SMD 27R 5% RC0603JR-0727RLYAGEO16+SMD0603
RES 2K2 5%の場合0805 RC0805JR-072K2LYAGEO16+SMD0805
RES RC0805JR-0747RLYAGEO16+SMD0805
TRANS FOD817CSDFSC15+SOP-4
DIODO BAS16,21516+SOT-23
C.I MC7915CTG16+TO-220
帽子。CER.1K 0603 1% - 06033A102FAT2AAVX16+SMD0603
RES 0603 2K 1% RC0603FR-072KLYAGEO16+SMD0603
RES SMD 0603 10K 1% RC0603FR-0710KLYAGEO15+SMD0603
帽子。CER.390PF 0603 1% - 06035A391FAT2AAVX16+SMD0603
C.I NJM13700DJRC16+DIP-16
C.I WS79L05WS16+TO-92
TRANS HCPL4503-500EAVAGO13+SOP-8
帽子0603 47PF 50V 06035C470KAT2AAVX15+SMD0603
RES RC0805JR-0727RLYAGEO16+SMD0805
C.I SN74HC08Nチタニウム16+DIP-14
帽子0805 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNCサムスン16+SMD0805
帽子CER 0805 68PF 100V NP0 C0805C680J1GACTUKEMET16+SMD0805
C.I L7812CVST16+TO-220
MT2060F-2ミクロン1606-A4QFN48
LM293DMR2GRKC/1603 RGU/1621 RGW/1623MSOP8
SI9978DW-T1VISHAYY342AASOP-24
AT91SAM7X128-AUATMEL1324QFP-100
LTC3546EUFD#PBF線形5B/1JQFN28
M41T82RM6FSTMEZ025SOP-8
NCT75DR2GPXDJSOP-8
FM25CL64B-GCYPRESS1525SOP-8
OPA2340UAチタニウム32D52SOP-8
ADM2587EBRWZADI1641SOP-20
LAN8710Ai-EZKSMSC1239QFN32
M30260F8AGP#U3ARENESAS63803QFP48

電気特徴の標準

抵抗の範囲.................................. 10から5メグオーム

抵抗の許容............. ±10% std。

絶対最低の抵抗............................ 1.0%か2オーム最高。

接触抵抗の変化.............................. 1.0%か1オーム最高。

調整能力の電圧...................................... ±0.01%

抵抗................................ ±0.05%

無限決断.....................................

絶縁抵抗................ 500 vdc。

最少絶縁耐力の海水位1,000メグオームの............................... 1,000 vac 80,000フィート............................... 250 vac

調節角度............. 15の回転nom


環境の特徴

電力定格(400ボルト最高。)70°C ....................................... 0.75

ワット125°C .......................................... 0ワット

温度較差...... - 55°Cへの+125°C

温度係数..... ±100ppm/°C

シール テスト........................ 85°C

Fluorinert*の湿気........ MIL-STD-202

方法103 96時間(3% ∆TR、IR 20メグオームの)

振動............ 20G (2% ∆TR;2% ∆VRの)衝撃................ 50G

(2% ∆TR;2% ∆VRの)負荷生命….1,000時間0.75ワット70°C (4% ∆TR)

回転生命........................ 200の周期(3% ∆TR;より大きいものはどれでも1%か1オーム、CRV)


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3362P-1-103 Mosfet力モジュールの集積回路の破片ICの電子工学

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