新しい及びオリジナルの集積回路の破片のディジタル信号プロセッサTMS320C50PQ80

か。ディジタル信号プロセッサ

*Powerful 16ビットTMS320C5x CPUか。

*20-、25-、35-、および50 ns単一周期

5-V操作のための命令実行時間か。

*25-、40-、および50 ns単一周期の指示

3-V操作のための実行時間か。

16ビット*Single-Cycle 16の×は増加したり/加えるか。

アドレス指定可能な*224Kの×の16ビットの最高

外的なメモリ・スペース（64Kプログラム、64K

データ、64K全体的な入力/出力および32K）か。

*2K、4K、8K、16Kの32K ×の16ビットの単一アクセス

オン破片プログラムROMか。

*1K、3K、6Kの9K ×の16ビットの単一アクセス

オン破片プログラム/データRAM （SARAM）か。

*1Kの二重アクセスのオン破片プログラム/データ

RAM （DARAM）か。

*双方向通信の同期シリアル ポートのための

コーダー/デコーダー インターフェイスか。

*Time-Division-Multiplexed （TDM）シリアル ポートか。

*Hardwareまたはソフトウェア待ち時間州の世代別機能か。

制御操作のための*On-Chipのタイマーか。

プログラム スペースの有効な使用のための*Repeatの指示か。

*Bufferedシリアル ポートか。

*Hostの左舷インターフェイスか。

*MultipleのPhase-Lockedループ（PLL）

時間を記録する選択（×1、×2、×3、×4、×5、装置による×9）か。

*Blockはデータ/プログラム管理プログラムのために動くか。

*On-Chipのスキャン ベースの模範化の論理か。

*Boundaryスキャンか。

*Five包装の選択

– 100 Pinクォードの平らなパッケージ（PJの接尾辞）

– 100 Pin薄いクォードの平らなパッケージ（PZの接尾辞）

– 128 Pin薄いクォードの平らなパッケージ（PBKの接尾辞）

– 132 Pinクォードの平らなパッケージ（PQの接尾辞）

– 144 Pin薄いクォードの平らなパッケージ（PGEの接尾辞）か。

*Lowの電力損失およびパワー モード:

– 5ボルトの40 MHz時計の47 mA （2.35 mA/MIP） （平均）

– 3ボルトの40 MHz時計の23 mA （1.15 mA/MIP） （平均）

– 5ボルトの40 MHz時計の10 mA （IDLE1モード）

– 5ボルトの40 MHz時計の3 mA （IDLE2モード）

– 5ボルトの5 µA、時計を離れた（IDLE2モード）か。

*High-Performance静的なCMOSの技術か。

*IEEEの標準1149.1の†のテスト アクセスの港（JTAG）

記述

テキサス・インスツルメント（TITM）のTMS320ディジタル信号プロセッサ（DSPs）のTMS320C5xの生成は静的なCMOSの集積回路の技術と製造される;建築設計はより早いチタニウムDSP、TMS320C25のそれに基づいている。ハーバード高度の建築、オン破片ペリフェラル、オン破片の記憶および非常に専門にされた命令セットの組合せは『C5xの‡装置の操作上の柔軟性そして速度の基礎である。彼らは毎秒50まで，000,000の指示を実行する（MIPS）。

『C5x装置はこれらの利点がある:か。

• 高められた性能および多様性のための高められたTMS320建築設計か。
• スピン・オフ装置の速い開発のためのモジュラー建築設計か。
• 高められた性能のための高度の集積回路の加工技術か。
• 上向きの互換性ソース コード（『C1xおよび』 C2x DSPs 『のためのソース コードはC5x DSPsと上向きの互換性。である）か。
• より速いアルゴリズムと最大限に活用された高水準言語操作のための高められたTMS320命令セット
• か。パワー消費量を最小にし、放射許容を最大にするための新しい静的設計技術

TMS320C50、TMS320LC50、TMS320C51、TMS320LC51、TMS320C53、TMS320LC53

PQのパッケージ

（平面図）

作動の包囲され空気温度較差上の絶対最高評価（通知がなければ） （『320C5x唯一の） †

供給電圧の範囲、VDD （ノート3）を………………………………見なさい。– 0.3ボルトから7ボルト

入れられた電圧範囲、VI.…………………………………………。– 0.3ボルトから7ボルト

出力電圧範囲、VO…………………………………………。– 0.3ボルトから7ボルト

作動の周囲温度の範囲、TA……………………………… – 40°Cへの85°C

作動の場合温度、TC……………………………………… 0°Cへの85°C

保管温度の範囲、Tstg…………………………………… – 55°Cへの150°C

†は「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越えて装置への永久的な損害を与えるかもしれない重点を置く。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置または「推薦された作動条件の下で」示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価される条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

ノート3:すべての電圧価値はVSSに関してある。

推薦された作動条件（『唯一の320C5x）

‡はこのIOH時TDMのシリアル ポートTADDの出力の1-kΩ pulldownの抵抗器を使用して超過することができる;但し、この出力はまだVOHの指定にこのような状況の下で合う。

ノート4:図9はテスト負荷回路および図10および図11ショーを電圧参照レベル示す。

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