VN330SPの集積回路の破片は高い側面のスマートな力の半導体継電器を四つ揃えにする

型式番号:VN330SP
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:7600pcs
受渡し時間:1日
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正会員
Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

VN330SP

クォードの高い側面のスマートな力の半導体継電器


タイプVdemag *RDS () *IOUT *VCC
VN330SPVCC-55V0.32のΩ **0.7 A36ボルト

*チャネルごとに…

**でTJ = 85 ℃


■出力電流:チャネルごとの0.7A

■デジタル入力は32V最低の電圧で締め金で止めた

■ショートさせた負荷および過熱保護

■作り付けの現在の振幅制限器

■締まる下の電圧

■開いた下水管の診断出力

■誘導負荷の速い消磁


記述

VN330SPはひくために接続される1つの側面が付いている4つの独立した抵抗または誘導負荷を運転するために意図されているSTMicroelectronics VIPowerの技術を使用してなされる単一装置である。

活動的な現在の限定はショートさせた負荷の場合にはシステム電源を落とすことを避ける。作り付けの熱操業停止は終わる温度および短絡から破片を保護する。

開いた下水管の診断の出力は短絡およびovertemperatureconditionsを示したものだ。


絶対最高評価

記号変数価値単位
VCC電源電圧45V
- VCC逆の供給電圧-0.3V
IOUT出力電流(cont。)内部的に限られた
IR逆の出力電流(チャネルごとに)-6
IIN入力電流(チャネルごとに)±10mA
IDIAGDIAG Pinの流れ±10mA
VESD静電放電(1.5 kΩ、100 pF)2000年V
EASチャネルないSymultaneouslyごとの単一の脈拍のなだれエネルギー(図1)を見なさい400mJ
PtotTcの≤ 25の℃の電力損失内部的に限られたW
Tj接続点の実用温度内部的に限られた
Tstg保管温度-55から150

ブロック ダイヤグラム


図1:なだれエネルギー テストCircit


図2:ピーク短絡の現在のテストCircit


標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
MAX4173TEUT5450格言14+SOT
M54525P5450MIT13+すくい
LTC1763CS85438線形12+SOP
AUIRFP29075433IR14+TO-247
AD8652ARZ5428広告15+SOP-8
M50195P5425MIT14+すくい
LM7824CT5420NSC15+TO-220
LTC2209CUP5413線形13+QFN
ADS1230IPWR5413チタニウム15+TSSOP-16
PIC16F88-I/SS5409マイクロチップ15+SSOP
M4T32-BR12SH15400ST15+すくい
LM386N-15400NSC13+DIP-8
X9C104SIZ5390INTERSIL14+SOP-8
M4T28-BR12SH15375ST13+すくい
LM7818CT5370NSC14+TO-220
LM7301IM5X5368NSC15+SOT-23-5
M48Z58Y-70PC1E15350ST14+すくい
LP2992IM5X-1.85346NSC15+SOT-23-5
MAX4092ASA+T5328格言14+SOP
M48Z35-70PC15325ST15+すくい
PIC10F222T-E/OT5323マイクロチップ15+SOT

China VN330SPの集積回路の破片は高い側面のスマートな力の半導体継電器を四つ揃えにする supplier

VN330SPの集積回路の破片は高い側面のスマートな力の半導体継電器を四つ揃えにする

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