HIP6501ACBZ-T電子ICは三重の線形力のコントローラーを欠く

型式番号:HIP6501ACBZ-T
原産地:元の工場
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:7600pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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製品詳細 会社概要
製品詳細

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。ブランドD/Cパッケージ
MCR8SNG558114+TO-220
MCZ33390EFR29562FREESCALE09+SOP-8
MD1802FX10138ST13+TO-3PF
MDB6S67000FSC14+SOP-4
MDM9615M1471クアルコム12+BGA
MDM9615M1444クアルコム12+BGA
ME15N10-G59000MATSUKI14+TO-252
MF-R025125000BOURNS15+すくい
MFRC52202HN1852713+QFN32
MFRC53101T/OFE266516+SOP-32
MF-SMDF050-270000BOURNS16+SMD
MG20G6EL14017東芝14+モジュール
MGA-425P8-TR15576AVAGO14+LPCC2X2-8
MGA-43040-TR1G1758AVAGO15+QFN
MGA-82563-TR113617AGILENT16+SOT-363
MGP20N40CL891616+TO-220
MI0603J601R-106000地主16+SMD
MIC2025-2YM5552MICREL08+MSOP-8
MIC2026A-1YM5097MCREL16+SOP-8
MIC2076-1YMTR7892MICREL11+SOP-8
MIC2076-2YM5978MICREL14+SOP-8
MIC2544-2YM5949MICREL16+MSOP-8
MIC2562A-1YM5523MICREL16+SOP-14
MIC29150-3.3WU4350MICREL12+TO-263
MIC29300-3.3WU4371MICREL15+TO-263
MIC29302WU13688MICREL13+TO-263-5
MIC29310-5.0BU15597MICREL04+TO-263-3
MIC2937A-3.3BU5494MICREL99+TO-263
MIC2951-02YM8379MICREL12+SOP-8
MIC2954-03WS11290MICREL14+SOT-223

HIP6501A

ACPIの制御インタフェースが付いている三重の線形力のコントローラー


HIP6020かHIP6021と組み合わせられるHIP6501Aはマイクロプロセッサおよびコンピュータ利用技術のACPI迎合的な設計の実施を簡単にする。ICは16ピンSOICパッケージに2つの線形制御装置およびlow-currentパスのトランジスター、またモニタリング及び制御機能を統合する。


1つの線形制御装置は外的なパスのトランジスターを通してPCIスロットに動力を与える睡眠の州(S3、S4/S5)の間に3.3VDUALの状態によって指示されてピンを可能にしなさいようにATXの電源の5VSBの出力からの3.3VDUAL電圧平面を発生させる。S0およびS1 (活動的な) operatingstatesの間にPCI操作のためのATX 3.3Vの出力で転換するのに付加的なパスのトランジスターが使用されている。


第2線形制御装置の供給活性態の外的なパスのトランジスターを通した計算機システム2.5V/3.3Vの記憶力。S3国家の間に、統合されたパスのトランジスターは2.5V/3.3V睡眠州の電源を供給する。第3コントローラー力睡眠の状態の活性態のATX 5Vの出力の転換による5VDUAL平面、かATX 5VSB。


HIP6501Aのオペレーティング・モードは(活動的州の出力か睡眠州の出力) 2つの制御ピンを通して選択可能である:S3およびS5。異なった力モードの論理の支配の活発化のそれ以上の制御は2つの可能になるピンを通して提供される:EN3VDLおよびEN5VDL。活性態では、3.3VDUAL線形調整装置は最低の損失を負っている間ATX(か等量)電源によって供給される3.3V入力に出力(VOUT1)を直接接続するのに外的なN-ChannelのパスMOSFETを使用する。


睡眠の国家では、3.3VDUAL出力はコントローラーにATX 5VSBから外的なNPNのトランジスターを通した、また供給される。2.5/3.3VMEM出力のための活性態力配達は3.3V設定のための外的なNPNのトランジスター、かNMOSスイッチを通して行われる。睡眠の状態では、この出力の伝導は内部パスのトランジスターに移る。5VDUAL出力は2つの外的なMOSのトランジスターを通して動力を与えられる。


睡眠の状態では、PMOS (かPNP)トランジスターはATX 5Vの出力に接続されるNMOSのトランジスターにATX 5VSBの出力からの流れを、が活性態で、現在の流れ移る行なう。3.3VDUAL出力に類似した、5VDUAL出力の操作はS3およびS5ピンの状態、EN5VDLピンの状態によって同様にだけでなく、定まる。


特徴

•3つのACPI制御の電圧を提供する

- (5VDUAL)活動的な/睡眠5V

- (3.3VDUAL)活動的な/睡眠3.3V

- (2.5VMEM)活動的な/睡眠2.5V/3.3V


•簡単な制御設計

-補償は要求しなかった

•優秀な出力電圧調整

- 3.3VDUALは出力した:温度に±2.0%;睡眠の状態だけ

- 2.5V/3.3Vは出力した:温度に±2.0%;両方の操作上の州(唯一の睡眠の3.3V設定)


•固定出力電圧は精密外的な抵抗器を要求しない

•小型

-小さく外的な構成計算

•FAULT/MSEL Pinによる選択可能な2.5VMEM出力電圧

- RDRAMの記憶のための2.5V

- SDRAMの記憶のための3.3V


•中心にされるのすべての出力の不足電圧の監視は報告を非難する

•調節可能なソフト開始機能は5VSB摂動を除去する

•Pbなしの利用できる(迎合的なRoHS)


絶対最高評価

供給電圧、V5VSB………………………… +7.0V

12V. …………………………。GND - 0.3Vへの+14.5V

DLA、DRV2…………………。.GND - 0.3VへのV12V +0.3V

他のすべてのピン。………………。.GND - 0.3Vへの5VSB + 0.3V

ESDの分類………………………。クラス3 [5kV]


推薦された作動条件

供給電圧、V5VSB……………………… +5V ±5%

二次バイアス電圧、V12V。………………。+12V ±10%

デジタル入力、3対、5対、VEN3VDL、+5.5VへのVEN5VDL……… .0

周囲温度の範囲。………………。0°Cへの70°C

接合部温度の範囲。………………。0°Cへの125°C


熱情報

熱抵抗(、ノート1)典型的な θJA (°C/W)

SOICのパッケージ………………………。100

最高の接合部温度…………………。150°C

最高の保管温度の範囲。………。- 65°Cへの150°C

最高の鉛の温度(はんだ付けする10s)…………。300°C

(SOIC -唯一の鉛の先端)

注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の唯一の評価であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。


注:1. θJAは自由大気に評価のパソコン ボードに部品と取付けた測定される。


ブロック ダイヤグラム


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