M25PE16-VMW6TGの線形集積回路のページ-消去可能な連続フラッシュ・メモリ

M25PE16

16-Mbitのバイトalterability、75 MHz SPIバス、標準的なpinoutのページ消去可能な連続フラッシュ・メモリ

特徴

■SPIバス多用性があるシリアル・インタフェース

■16-Mbitページ消去可能なフラッシュ・メモリ

■ページ サイズ:256バイト

–ページは11氏に書く（典型的な）

– 0.8人の氏のページ プログラム（典型的な）

– 10氏のページの消去（典型的な）

■小区域の消去（4 Kバイト）

■セクターの消去（64 Kバイト）

■バルク消去（16 Mbits）

■2.7 Vから3.6ボルトの単一の供給電圧

■75のMHzのクロック レート（最高）

■深いパワー モード1 µA （典型的な）

■電子署名

– JEDECの標準的な2バイトの署名（8015h）

– 16バイトの独特な識別コード（UID）読み取り専用、顧客の要求に利用できる

■ソフトウェアは64 Kバイトのセクターの基礎で保護を書く

■ハードウェアはBP0、BP1およびBP2ビットを使用して選ばれるメモリ領域の保護を書く

■以上100 000は周期を書く

■保持20年以上データ

■パッケージ– ECOPACK® （迎合的なRoHS）

記述

M25PE16は16-Mbit （高速SPI互換性があるバスによってアクセスされる2 Mbitsの× 8）の連続によってページを捲られるフラッシュ・メモリである。

記憶はページを使用してまたはプログラムされた1プログラム指示を書くか、またはページを捲るためにから256バイト、一度に書くことができる。ページはページの業務計画周期に先行している統合されたページの消去周期から指示を成っている書く。

記憶は16の小区域それぞれに分けられるそれ以上である32のセクターとして組織される（合計の512の小区域）。各セクターは256ページを含み、各小区域は16ページを含んでいる。各ページは広く256バイトである。従って、全記憶は8192ページから成っているか、または2,097,152バイトとして見ることができる。

記憶は、セクターの消去の指示を使用して、小区域の消去の指示を使用して、ページの消去の指示を使用して、ページを小区域一度にセクター一度にまたはバルク消去の指示を使用して全体として、一度に消すことができる。

記憶は適用必要性によって混合された揮発および不揮発性記憶保護機構を使用してハードウェアかソフトウェアによって、書込み禁止にすることができる。保護粒度は64 Kバイト（セクターの粒度）である。

最高の評価

絶対最高評価にリストされている評価の上の装置に重点を置くことは装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置またはこの指定の作動セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。長期の絶対最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。

注:

1. 2002/95/EU危険な物質（RoHS）の制限のJEDEC Std J-STD-020C （小さいボディ、Sn PbまたはPbアセンブリのために）、Numonyx ECOPACK® 7191395の指定およびヨーロッパの指令と迎合的。

2. JEDEC Std JESD22-A114A （C1=100のpF、R1=1500 Ω、R2=500 Ω）。

標準的な提供（熱い販売法）

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