新しい及び元の業界標準の単一チャネル6 Pinのすくいオプトカプラー4N35

業界標準の単一チャネル6 Pinのすくいオプトカプラー

装置タイプ

部品番号 CTR % Min.の 部品番号 CTR % Min.の。

4N25 20 MCT2 20

4N26 20 MCT2E 20

4N27 10 MCT270 50

4N28 10 MCT271 45-90

4N35 100 MCT272 75-150

4N36 100 MCT273 125-250

4N37 100 MCT274 225-400

4N38 10 MCT275 70-90

H11A1 50 MCT276 15-60

H11A2 20 MCT277 100

H11A3 20

H11A4 10

H11A5 30

特徴

•共通の論理家族が付いているインターフェイス

•入出力カップリング キャパシタンス < 0="">

•業界標準のDual-in-line 6ピン パッケージ

•TRIOS®による分野効果の馬小屋

•5300 VRMSの分離テスト電圧

•保険業者の実験室ファイル#E52744

•選択1と利用できるVDE #0884の承認

適用

•AC本管の検出

•Reedのリレー運転

•スイッチ モード電源のフィードバック

•電話リング検出

•論理の地面の分離

•高周波音の拒絶の論理のカップリング

注:データ用紙との設計はアプリケーション ノート45でカバーされる。

記述

このデータ用紙はVishayの業界標準の単一チャネルのフォトトランジスターのカプラーの5つの系列を示す。これらの家族は4N25/26/27/28タイプ、4N35/36/37/38カプラー、H11A1/A2/A3/A4/A5、MCT2/2EおよびMCT270/271/272/273/274/275/276/277装置を含んでいる。各オプトカプラーはガリウム砒素赤外線LEDおよびケイ素NPNのフォトトランジスターから成っている。

これらのカプラーは5300 VRMSの分離テスト電圧に従うためにリストされている保険業者の実験室（UL）である。この分離の性能はVishayの倍の鋳造物の分離の製造工程によって達成される。VDE 0884の部分的な排出の分離の指定への承諾はフォトトランジスターの基質の透明なlOnの盾（トリオ）の®を組み込むことによって、高い分離の電圧の前で発注、によってこれらの家族のために利用できる選択1.フォトトランジスターの利益安定性の保証される。商業プラスチック フォトトランジスター オプトカプラーのために利用できる最も高い分離の性能のこれらの分離プロセスそしてVishay IS09001の品質プログラムの結果。

装置は鉛で利用できる形作り、表面取り付けのために適した構成をテープおよび巻き枠で、または標準的な管の輸送箱で利用できる。

最高の評価TA=25°C

エミッター

逆電圧.......................................................................................... 6.0ボルト

前方現在の........................................................................................ 60 mA

サージ電流（t≤10 µs） ...............................................................................2.5 A

電力損失...................................................................................100 MW

探知器

Collector-Emitterの絶縁破壊電圧...........................................................70ボルト

Emitter-Base絶縁破壊電圧................................................................7.0 V

コレクター流れ....................................................................................... 50 mA

コレクター流れ（t <1>

電力損失...................................................................................150 MW

パッケージ

分離テスト電圧..........................................................................5300 VRMS

表面漏れ.............................................................................................. ≥7.0 mm

整理............................................................................................. ≥7.0 mm

エミッターと探知器間の分離の厚さ...............................≥0.4 mm

DIN IEC 112/VDE0303、パート1 .................. 175ごとの比較追跡索引

分離の抵抗

VIO =500 VのTA =25°Cの............................................................................... 1012のΩ

VIO =500 V、TA =100°C ............................................................................1011のΩ

保管温度................................................................– 55°Cへの+150°C

実用温度............................................................ – 55°Cへの+100°C

接合部温度................................................................................100°C

はんだ付けする温度（最高。10 sのすくいのはんだ付けすること:

着席の平面≥1.5 mm） ...................................................... 260°Cへの間隔

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