SOIC8パッケージのフラッシュ・メモリの破片EEPROMs -連続I2CインターフェイスM24C02-WMN6TP
型式番号:M24C02-WMN6TP
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
供給の能力:100000pcs
受渡し時間:1-3days
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
M24C02-WMN6TP SOIC-8の破片のフラッシュ・メモリの破片EEPROMs連続I2CのインターフェイスM24C02
記述:
M24C01 （C02）は1(2) - 128の（256の） × 8ビットとして組織されるKbit I2C互換性があるEEPROM （電気で消去可能でプログラム可能な記憶）である。M24C01/02-Wは2.5のVから5.5ボルトから供給電圧とアクセスすることができるM24C01/02-Rは1.8のVから5.5ボルトから供給電圧とアクセスしM24C02-Fは1.7のVから5.5ボルトから1.6のVから温度が0 °C/85 °C.に減れば1.7ボルトから供給電圧と（完全な温度較差に）または延長供給電圧とアクセスすることができる。これらの装置はすべて400のkHzの最高のクロック周波数と作動する。
特徴
•I2Cバス モードと互換性がある:
– 400のkHz
– 100つのkHz
•記憶配列:
– EEPROMの1 Kbit （128バイト）
– EEPROMの2 Kbit （256バイト）
–ページ サイズ:16バイト
•単一の供給電圧:
– M24C01/02-W:2.5 Vから5.5ボルト
– M24C01/02-R:1.8 Vから5.5ボルト
– M24C02-F:1.7 Vから5.5ボルト（完全な温度較差）および1.6ボルトから1.7ボルト（限られた温度較差）
•書きなさい:
–バイトは5氏の内で書く
–ページは5氏の内で書く
•実用温度範囲:
– -40 °Cの+85まで°Cから…
•任意および順次読まれたモード
•全記憶配列の書込禁止
•高められたESD/Latch-Upの保護
•4以上，000,000は周期を書く
•200年データ保持より多く
適用
コンピュータ及びコンピュータ周辺機器、コミュニケーション及びネットワーキング産業の家電
SOIC8パッケージのフラッシュ・メモリの破片EEPROMs -連続I2CインターフェイスM24C02-WMN6TP
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