CSD17308Q3 CSD17308Q3T超低いQg Mosfetモーター運転者回路のNCh NexFET Pwrの低い熱抵抗

型式番号:CSD17308Q3
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供給の能力:1日あたりの50000部分
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包装の細部:SON8
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製品詳細 会社概要
製品詳細

CSD17308Q3 CSD17308Q3T Mosfet力トランジスターMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET


1特徴

  • 5-Vゲート ドライブのために最大限に活用される
  • 超低いQgおよびQgd

  • 低い熱抵抗

  • 評価されるなだれ

  • Pbの自由な末端のめっき

  • 迎合的なRoHS

  • 自由なハロゲン

  • VSON × 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ


2つの適用

  • 負荷のノート ポイント

  • ネットワーキング、電気通信および計算機システムのポイントの負荷同期木びき台


3記述

この30-V、8.2-mΩは、3.3 mmの× 3.3 mm VSON NexFETTM力MOSFET力転換の適用の損失を最小にするように設計され、5-Vゲート ドライブ塗布のために最大限に活用される。


プロダクト概要

TA = 25°C

価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

30

V

Qg

ゲート充満合計(V) 4.5

3.9

NC

Qgd

流出するべきゲート充満ゲート

0.8

NC

RDS ()

抵抗の下水管に源

VGS = 3ボルト

12.5

VGS = 4.5ボルト

9.4

VGS = 8ボルト

8.2

VGS (Th)

境界の電圧

1.3

V


発注情報

装置

QTY

媒体

パッケージ

CSD17308Q3

2500

13インチの巻き枠

息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ

テープおよび巻き枠


絶対最高評価

TA = 25°C特に明記しない限り

価値

単位

VDS

下水管に源の電圧

30

V

VGS

ゲートに源の電圧

+10/– 8

V

ID

連続的な下水管の流れ(限られるパッケージ)

50

連続的な下水管の流れ、TC = 25°C

44

連続的な下水管の流れ(1)

14

IDM

脈打った下水管の流れ、TA = 25°C (2)

167

PD

電力損失(1)

2.7

W

電力損失、TC = 25°C

28

TJ、Tstg

作動の接続点および保管温度の範囲

– 55から150

°C

EAS

なだれエネルギー、単一の脈拍ID =36A、L=0.1mH、RG =25Ω

65

mJ

China CSD17308Q3 CSD17308Q3T超低いQg Mosfetモーター運転者回路のNCh NexFET Pwrの低い熱抵抗 supplier

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