STP110N8F6 Mosfet力トランジスター110 A、TO-220パッケージのSTripFET F6力MOSFET
型式番号:STP110N8F6
最低順序量:私達に連絡しなさい
支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力:1日あたりの50000部分
受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部:TO-220
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Shenzhen China
住所：
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
STP110N8F6 Mosfet力トランジスター110 A、TO-220パッケージのSTripFET F6力MOSFET
特徴
オーダー コード | VDS | 最高RDS （） | ID | PTOT |
STP110N8F6 | 80ボルト | 0.0065 Ω | 110 A | 200 W |
非常に低いオン抵抗
まさに低いゲート充満
高いなだれの険しさ
低いゲート ドライブ電源切れ
適用
•転換の適用
記述
この装置は新しい堀のゲートの構造とのSTripFETTM F6の技術を使用してN-channel力MOSFET成長したである。生じる力MOSFETはすべてのパッケージの非常に低いRDSを（）表わす。
STP110N8F6 Mosfet力トランジスター110 A、TO-220パッケージのSTripFET F6力MOSFET
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