トランジスター100V N-Channel PowerTrenchを使用してFDMS3662 Mosfetの運転者回路
型式番号:FDMS3662
最低順序量:私達に連絡しなさい
支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力:1日あたりの50000部分
受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部:QFN
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDMS3662 Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-Channel PowerTrench
特徴
- 最高rDS （） = 14.8mΩのVGS = 10V、ID = 8.9A
- 低いrDSのための高度のパッケージおよびケイ素の組合せ（）
- MSL1強いパッケージ・デザイン
- テストされる100% UIL
- 迎合的なRoHS
概説
このN-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度力の堀の®プロセスを使用して。
適用
- DC - DCの転換
トランジスター100V N-Channel PowerTrenchを使用してFDMS3662 Mosfetの運転者回路
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