CSD25402Q3A 650 MV力Mosfetの運転者回路、高い発電Mosfetのトランジスター
型式番号:CSD25402Q3A
最低順序量:私達に連絡しなさい
支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力:1日あたりの50000部分
受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部:VDFN8
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
CSD25402Q3A Mosfet力トランジスターMOSFET P-CH Pwr MOSFET
1特徴
- 超低いQgおよびQgd
低い熱抵抗
低いRDS （）
自由なPbおよびハロゲン
迎合的なRoHS
息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ
2つの適用
DC-DCのコンバーター
電池管理
負荷スイッチ
電池の保護
3記述
この息子との力転換の負荷管理塗布の損失を×最小にするように– 20-V、7.7-mΩ NexFETTM力MOSFETは3.3 mmの装置のサイズのための優秀な熱性能を提供する3.3 mmのパッケージ設計されている。
プロダクト概要
TA = 25°C | 典型的な価値 | 単位 | ||
VDS | 下水管に源の電圧 | – 20 | V | |
Qg | ゲート充満合計（– 4.5 V） | 7.5 | NC | |
Qgd | 流出するべきゲート充満ゲート | 1.1 | NC | |
RDS （） | 抵抗の下水管に源 | VGS = – 1.8ボルト | 74 | mΩ |
VGS = – 2.5ボルト | 13.3 | mΩ | ||
VGS = – 4.5ボルト | 7.7 | mΩ | ||
Vth | 境界の電圧 | – 0.9 | V | |
発注情報（1）
装置 | QTY | 媒体 | パッケージ | 船 |
CSD25402Q3A | 2500 | 13インチの巻き枠 | 息子× 3.3 mmの3.3 mmのプラスチック パッケージ | テープおよび巻き枠 |
CSD25402Q3AT | 250 | 7インチの巻き枠 |
絶対最高評価
TA = 25°C | 価値 | 単位 | |
VDS | 下水管に源の電圧 | – 20 | V |
VGS | ゲートに源の電圧 | +12または– 12 | V |
ID | 連続的な下水管の流れ、TC = 25°C | – 76 | |
連続的な下水管の流れ（パッケージの限界） | – 35 | ||
連続的な下水管の流れ（1） | – 15 | ||
IDM | 脈打った下水管の流れ（2） | – 148 | |
PD | 電力損失（1） | 2.8 | W |
電力損失、TC = 25°C | 69 | ||
TJ | 作動の接合部温度 | – 55から150 | °C |
Tstg | 保管温度 | – 55から150 | °C |
CSD25402Q3A 650 MV力Mosfetの運転者回路、高い発電Mosfetのトランジスター
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