ADG1208YRUZ-REEL7イーサネットスイッチIC多重交換装置スイッチIC 8:1 550MHz 120オームのiCMOS

型式番号:ADG1208YRUZ-REEL7

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包装の細部:TSSOP

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

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製品詳細会社概要

製品詳細

ADG1208YRUZ-REEL7イーサネットスイッチIC多重交換装置スイッチIC 8:1 550MHz 120オームのiCMOS

特徴

<1 pC="" charge="" injection="" over="" full="" signal="" range="" 1="" pF="" off="" capacitance="">
33ボルトの供給の範囲
抵抗の120 Ω
±15 V/+12 Vで十分に指定されて
3つのVの論理の多用性がある入力
柵に柵操作
Break-before-make転換の行為
16鉛TSSOP、16鉛LFCSP、およびaで利用できる
16鉛SOIC
典型的なパワー消費量 < 0="">

適用

可聴周波およびビデオ誘導の自動試験装置データ収集システム電池式システムSample-and-holdシステム・コミュニケーションシステム

概説

ADG1208およびADG1209は8つの単一チャネルおよび4つの差動チャネルから成り立つ単一、iCMOSの®のアナログの多重交換装置それぞれである。ADG1208は3ビット二進住所ラインA0、A1およびA2によって定められるように共通の出力に8つの入力の1つを転換する。ADG1209は共通の差動出力に2ビット二進住所ラインA0およびA1によって定められてように4つの差動入力の1つを転換する。両方の装置のENの入力装置を不具にするため可能にするか、または。不具場合の、すべてのチャネルは転換する。、各チャネルが両方の方向で同様にうまく行ない、供給に伸びる入力信号の範囲を備えている時。

産業CMOS （iCMOS）のモジュラー製造工程は高圧補足の金属酸化膜半導体（CMOS）および両極技術を結合する。それはずっと高圧装置の他の生成が達成できないこと足跡の33ボルト操作が可能な高性能アナログICの広い範囲の開発を可能にする。慣習的なCMOSプロセスを使用してアナログICとは違って、iCMOSの部品は高められた性能、劇的に低い電力の消費、および減らされたパッケージのサイズ提供している間高い供給電圧を容認できる。

これらの多重交換装置の超低いキャパシタンスそして特別に低料金の注入はそれらに低い故障および速い解決が要求されるデータ収集およびsample-and-hold適用のための理想的な解決をする。装置の全体の信号の範囲上の最低充満注入があることを図2は示す。iCMOSの構造はまた理想的に携帯用および電池式の器械に適する装置を作る超低い電力損失を保障する。