SN74LVTH16245ADGGRの16ビットプログラム可能な論理ICSバストランシーバー三国から成ったABT

型式番号:SN74LVTH16245ADGGR

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包装の細部:VQFN24

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

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製品詳細会社概要

製品詳細

SN74LVTH16245ADGGRの16ビットプログラム可能な論理ICSバストランシーバー三国から成ったABT

特徴

•テキサス・インスツルメントWidebusTM家族のメンバー

•3.3-V操作および低い静的力の消滅のための最新式の高度のBiCMOSの技術（ABT）の設計

•サポートミックスモード信号操作（3.3-V VCCの5-V入出力電圧）

•サポート調節されていない組操作2.7ボルトに

•典型的なVOLP （出力地上の跳ね上がり） <0>

1B7•建築を最大限に活用するPCB 1B8をFlow-Through

•Ioffおよびパワーアップ3州のサポートホット挿入

•データ入力のバス把握は外的な懸垂/Pulldownの抵抗器のための必要性を除去する

•Latch-Upの性能はJESD 17ごとの500 mAを超過する

•ESDの保護は超過するJESD 22を– 200-V機械モデル（A115-A）

DESCRIPTION/ORDERING情報

『LVTH16245A装置は5-Vシステム環境にTTLインターフェイスを提供するように低電圧の（3.3-V） VCC操作のために、しかし機能と設計されている16ビットの（二重8の） noninverting 3州のトランシーバーである。

装置は2つのデータ・バス間の非同期通信のために設計されている。方向制御（DIR）の入力の論理のレベルは（OE） B港の出力か港の出力を活動化させるか、またはhigh-impedanceモードに両方の出力ポートを置くために入力を出力可能にし。装置は港の出力が活動化させるときB港の出力が活動化させるとBバスからのAバス送信するときにデータをAバスBバスに。AおよびBの両方港の入力回路部品は活発常にで、論理の高いですか低レベルの応用を超過分ICCおよびICCZを防ぐ持たなければならない。

活動的なバス把握回路部品は未使用握るか、または有効な論理の状態で入力をundriven。バス把握回路部品が付いている懸垂またはpulldownの抵抗器の使用は推薦されない。

VCCが0のそして1.5ボルトの間にあるとき、装置は力か力の間にhigh-impedance州に上がる。但し、1.5ボルトの上のhigh-impedance州を保障するために、OEはプルアップの抵抗器を通してにVCC結ばれるべきである;抵抗器の最小値は運転者のcurrent-sinking機能によって定められる。

これらの装置はIoffおよびパワーアップ3州を使用して熱挿入の適用のために十分に指定される。Ioffの回路部品は動力を与えられるとき防ぐ出力を不具にし現在の逆流を装置を通して損なう。パワーアップ3州の回路部品は運転者の対立を防ぐおよび力の上の力の間にhigh-impedance州に出力を置く。