TXB0108DQSRのプログラム可能な論理ICSの電圧レベル8B BidirのVltgレベルの訳者
型式番号:TXB0108DQSR
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供給の能力:1日あたりの50000部分
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包装の細部:USON20
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部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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TXB0108DQSRのプログラム可能な論理ICSの電圧レベル8B BidirのVltgレベルの訳者
1特徴
- 1.2Vto3.6VonAPortand1.65Vto5.5Von Bの港（VCCAの≤ VCCB）
VCC分離の特徴–どちらかのVCC入力がGNDにあれば、すべての出力はHigh-Impedance州にある
OEはVCCAに参照された入力回路を
低い電力の消費、4-μA最高のICC
Ioffは部分的力モード操作を支える
Latch-Upの性能はJESD 78のクラスごとの100 mAをII超過する
ESDの保護はJESD 22を超過する
2つの適用
受話器
Smartphone
タブレット
デスクトップ パソコン
3記述
この8ビットnoninverting訳者は2つの別々の構成可能のパワー供給の柵を使用する。Aの港はVCCAを追跡するように設計されている。VCCAは1.2ボルトからの3.6 V.に供給電圧を受け入れる。Bの港はVCCBを追跡するように設計されている。VCCBは1.65ボルトからの5.5 V.に供給電圧を受け入れる。これは1.2-V、1.5-V、1.8-V、2.5-V、3.3-Vおよび5-V電圧ノードの何れか間の普遍的な低電圧の二方向翻訳を可能にする。VCCAはVCCBを超過するべきではない。
出力可能にしなさい時（OE）入力はhigh-impedance州に低い、すべての出力置かれる。
TXB0108はOEの入力回路がVCCAによって供給されるように設計されている。
この装置はIoffを使用して部分的力の適用のために十分に指定される。Ioffの回路部品は動力を与えられるとき防ぐ出力を不具にし現在の逆流を装置を通して損なう。
パワーアップかパワーの間にhigh-impedance州を保障するためには、OEはpulldownの抵抗器を通したGNDに結ばれるべきである;抵抗器の最小値は運転者の現在調達の機能によって定められる。
装置情報
部品番号 | パッケージ | サイズ（NOM） |
TXB0108 | TVSOP （20） | 5.00 mm X 4.40 mm |
息子（20） | 2.00 mm X 4.00 mm | |
BGA MICROSTARの後輩（20） | 2.50 mm X 3.00 mm | |
TSSOP （20） | 6.50 mm X 4.40 mm | |
VQFN （20） | 4.50 mm X 3.50 mm | |
DSGBA （20） | 1.90 mm X 2.40 mm |
TXB0108DQSRのプログラム可能な論理ICSの電圧レベル8B BidirのVltgレベルの訳者
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