74AHC1G08GV 1ゲートのプログラム可能な性能の破片、集積回路の破片の高いノイズ耐性

型式番号:74AHC1G08GV
最低順序量:私達に連絡しなさい
支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力:1日あたりの50000部分
受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部:SOT23-5
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Shenzhen China
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製品詳細 会社概要
製品詳細

74AHC1G08GVプログラム可能な論理ICSの論理回路は2-INPUTおよびゲートを選抜する


1つの概説

74AHC1G08および74AHCT1G08は高速SiゲートCMOS装置である。それらは2入力および機能を提供する。

AHC装置はCMOSの入力転換のレベルを備え、供給電圧は2ボルト5.5 V.まで及ぶ。AHCT装置はTTLの入力転換のレベルを備え、供給電圧は4.5ボルト5.5 V.まで及ぶ。


2つの特徴および利点

  • 対称の出力インピーダンス
  • 高いノイズ耐性
  • 低い電力の消滅
  • 釣り合った伝搬遅延
  • SOT353-1およびSOT753パッケージの選択
  • ESDの保護:
  • HBM JESD22-A114E:2000ボルトを超過する
  • MM JESD22-A115-A:200ボルトを超過する
  • CDM JESD22-C101C:1000ボルトを超過する
  • 指定-40から+125から

3発注情報

表1.の発注情報

タイプ数

パッケージ

温度較差

名前

記述

74AHC1G08GW

-40から+125

TSSOP5

プラスチック薄い収縮の小さい輪郭のパッケージ;5つの鉛;ボディ幅1.25 mm

SOT353-1

74AHCT1G08GW

74AHC1G08GV

-40から+125

SC-74A

プラスチック表面取付けられたパッケージ;5つの鉛

SOT753

74AHCT1G08GV


4印
表2.の示すコード

タイプ数

74AHC1G08GW

AE

74AHC1G08GV

A08

74AHCT1G08GW

セリウム

74AHCT1G08GV

C08

China 74AHC1G08GV 1ゲートのプログラム可能な性能の破片、集積回路の破片の高いノイズ耐性 supplier

74AHC1G08GV 1ゲートのプログラム可能な性能の破片、集積回路の破片の高いノイズ耐性

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