PVT322SのツェナーダイオードICの電子工学の部品プログラムIC破片の記憶IC

型式番号:PVT322S

原産地:マレーシア

最低順序量:10pcs

支払の言葉:T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン

供給の能力:18000PCS

受渡し時間:1日

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

シリーズPVT322

マイクロエレクトロニック力IC HEXFET®力MOSFETの光起電リレー二重ポーランド人のノーマル・オープン0-250V、170mA AC/DC

概説

PVT322シリーズ光起電リレーはdualpole、多くの適用の電気機械のリレーを取り替えることができるノーマル・オープンの半導体継電器である。

それは新しい構造の集積回路の光起電発電機によって運転される出力スイッチとして国際的な整流器のHEXFET力MOSFETを利用する。

出力スイッチは光起電発電機から光学的に隔離されるGaAlAsの発光ダイオード（LED）からの放射によって制御される。

シリーズPVT322リレーは8ピン、によ穴または表面の台紙（カモメ翼）ターミナルが付いている形成されたすくいのパッケージで包まれる。

それは標準的なプラスチック出荷の管でまたはテープandreelで利用できる。部分の同一証明情報反対を参照しなさい。

特徴

HEXFET力MOSFETの出力

跳ね上がりなしの操作

4,000 VRMS入力/出力の分離

線形AC/DC操作

ソリッドステート信頼性

ULは証明されたBABT確認し、

適用か。か。か。

オン/オフホックスイッチか。先端およびリング回線交換か。

概要の切換えPa

絶対最高評価（1）

最低制御流れ（figure1を見なさい） 2.0 mA

オフ状態の抵抗@TA=+25°Cのために現在の最高制御0.4 mA

制御現在の範囲（注意:現在の限界の入力LEDは、図5）を2.0から25 mA見る

最高の逆電圧7.0 V

最低の絶縁耐力、入出力4000 VRMS

最低の絶縁耐力、ポーランド人にポーランド人1000 VDC

最低の絶縁抵抗、入出力、@TA=+25°C、50%RHの100VDC 1012 Ω

最高キャパシタンス、入出力1.0 pF最高Pin

はんだ付けする温度（10秒最高） +260

周囲温度の範囲:-40から+85の°Cの貯蔵-40に+100を作動させる

在庫の部分