M25PE80-VMN6TP電子ICの破片8のMbitの低電圧のページ消去可能な連続フラッシュ・メモリ

M25PE80

8 Mbitのバイトのalterability、50 MHz SPIバス、標準的なpinoutの低電圧、ページ消去可能な連続フラッシュ・メモリ

特徴

■SPIバス多用性があるシリアル・インタフェース

■8-Mbitページ消去可能なフラッシュ・メモリ

■ページ サイズ:256バイト

–ページは11氏に書く（典型的な）

– 0.8人の氏のページ プログラム（典型的な）

– 10氏のページの消去（典型的な）

■小区域の消去（4 Kバイト）

■セクターの消去（64 Kバイト）

■バルク消去（8 Mbits）

■2.7 Vから3.6ボルトの単一の供給電圧

■50のMHzのクロック レート（最高）

■深いパワー モード1 µA （典型的な）

■電子署名

– JEDECの標準的な2バイトの署名（8014h）

■ソフトウェアは64 Kバイトのセクターの基礎で保護を書く

■ハードウェアはBP0、BP1およびBP2ビットを使用して選ばれるメモリ領域の保護を書く

■以上100 000は周期を書く

■以上20年データ保持

■パッケージ– ECOPACK® （迎合的なRoHS）

記述

M25PE80は8 Mbit （高速SPI互換性があるバスによってアクセスされる1つのMbの× 8）の連続によってページを捲られるフラッシュ・メモリである。

記憶はまたはプログラムされた1から256バイト一度に書くことができるページを使用してプログラム指示を書くか、またはページを捲りなさい。ページはページの業務計画周期に先行している統合されたページの消去周期から指示を成っている書く。

記憶は16の小区域それぞれに分けられるそれ以上である16のセクターとして組織される（合計の256の小区域）。各セクターは256ページを含み、各小区域は16ページを含んでいる。各ページは256バイト広い。従って、全記憶は4096ページから成っているか、または1として048の576バイト見ることができる

記憶は、セクターの消去の指示を使用して、小区域の消去の指示を使用して、ページの消去の指示を使用して、ページを小区域一度にセクター一度にまたはバルク消去の指示を使用して全体として、一度に消すことができる。

記憶は適用必要性によって揮発および不揮発性記憶保護機構の組合せを使用してハードウェアかソフトウェアによって、書込み禁止にすることができる。保護粒度は64 Kバイト（セクターの粒度）である。

環境要求事項を満たすためには、STはECOPACK®のパッケージのM25PE80を提供する。迎合的なECOPACK®のパッケージは無鉛およびRoHSである。

絶対最高評価

1. 2002/95/EU危険な物質（RoHS）の制限のJEDEC Std J-STD-020C （SnPbまたはPb小さいボディ、アセンブリのために）、ST ECOPACK® 7191395の指定およびヨーロッパの指令と迎合的。

2. JEDEC Std JESD22-A114A （C1 = 100 pF、R1 = 1500のΩ、R2 = 500 Ω）。

標準的な提供（熱い販売法）

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