不揮発性SRAMの記憶IC 1Mbit平行45 ns 48-FBGA

型式番号:CY14V101NA-BA45XI

原産地:中国、広東省

最低順序量:>=5pcs

支払の言葉:条件付捺印証書、L/C、D/A、D/P、T/T

供給の能力:Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー

受渡し時間:2-4work幾日

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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製品詳細会社概要

製品詳細

TPS82130SILRの非絶縁ポールモジュールDC DCのコンバーター1が0.9を出力した板台紙を電源| 5V 3A

製品の説明

Cypress CY14V101LA/CY14V101NAは各メモリセルの不揮発性要素との速く静的なRAM、である。記憶は8ビットの128のKバイトそれぞれか16ビットの64のKの単語それぞれとして組織される。埋め込まれた不揮発性要素はQuantumTrapの技術を組み込み、世界の最も信頼できる不揮発性メモリを作り出す。SRAMは独立した不揮発性データはQuantumTrapの信頼性が高い細胞に存在するが、無限読書を提供し、周期を書く。SRAMからの不揮発性要素（店操作）へのデータ転送は力で自動的に起こる。パワーアップで、データは不揮発性メモリからのSRAM （リコール操作）に元通りになる。店およびリコール操作は両方ソフトウェア制御の下でまた利用できる。

プロダクト特性

プロダクト状態	活動的
記憶タイプ	不揮発性
記憶フォーマット	NVSRAM
技術	NVSRAM （不揮発性SRAM）
記憶容量	1Mbit
記憶構成	64K X 16
記憶インターフェイス	平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい	45ns
アクセス時間	45 ns
電圧-供給	2.7V \| 3.6V
実用温度	-40°C \| 85°C （TA）
タイプの取付け	表面の台紙
パッケージ/場合	48-TFBGA
製造者装置パッケージ	48-FBGA （6x10）
基礎プロダクト数	CY14V101