NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルクスクリーン

型式番号:IPN70R360P7S

最低順序量:>=2pcs

支払の言葉:L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、

供給の能力:Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー

受渡し時間:2-3Days

包装の細部:テープ及び巻き枠（TR）の切口テープ（CT） Digi巻き枠

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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Hong kong China

住所： Indに人を配置する平らなB5 1/F。建物、116-118いかにMingの通り、Kwunはさみ、九龍、香港

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製品詳細会社概要

製品詳細

IPN70R360P7S SOT-223のシルクスクリーン70S360のN-Channel FETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

製品の説明

部品番号IPN70R360P7SはINFINEONによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

IPN70R360P7Sのより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量IPN70R360P7Sを加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態	活動的
FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	700ボルト
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	12.5A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	10V
（最高） @ ID、VgsのRds	360mOhm @ 3A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	3.5V @ 150µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	16.4のNC @ 10ボルト
Vgs （最高）	±16V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	517 pF @ 400ボルト
FETの特徴	-
電力損失（最高）	7.2W （Tc）
実用温度	-40°C \| 150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
製造者装置パッケージ	PG-SOT223
パッケージ/場合	TO-261-4、TO-261AA
基礎プロダクト数	IPN70R360