集積回路の分離した半導体デバイスIPB107N20N3G TO263 200V 88A
型式番号:IPB107N20N3G
最低順序量:>=1pcs
支払の言葉:L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力:Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
受渡し時間:2-3Days
包装の細部:テープ
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Hong kong China
住所：
Indに人を配置する平らなB5 1/F。建物、116-118いかにMingの通り、Kwunはさみ、九龍、香港
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IPB107N20N3G TO263 200V 88AのN-channel MOS FETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片
製品の説明
部品番号IPB107N20N3GはINFINEONによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。
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プロダクト特性
プロダクト状態 | 活動的 |
流出させなさい源の電圧（Vdss）を | 200V |
電圧の運転 | 10V |
入力信号 | - |
出力信号 | - |
設置タイプ | 表面の台紙 |
データ転送速度 | - |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
特徴 | - |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | TO263-3 |
製造者装置パッケージ | PG-TO263-3 |
基礎プロダクト数 | IPB107 |
集積回路の分離した半導体デバイスIPB107N20N3G TO263 200V 88A
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