穴TO-264を通したIXYK110N120A4 IGBT力トランジスター1200V 375A 1360W
型式番号:IXYK110N120A4
最低順序量:50pcs
供給の能力:1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大):1200V
電流 - コレクター (Ic) (最大):375 A
現在-脈打つコレクター（Icm）:900A
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Shenzhen China
住所：
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
穴TO-264 （IXYK）を通したIXYK110N120A4 IGBT PT 1200 V 375 A 1360のW
IXYSの堀650Vへの1200V XPT™ GenX4™ IGBTs
IXYSの堀650Vへの1200V XPT™ GenX4™ IGBTsは専有XPTの薄ウエファーの技術および最新式の第4世代別（GenX4™）堀IGBTプロセスを使用して開発される。これらのinsulated-gate両極トランジスター特徴は熱抵抗、低負荷の損失、速い切換え、低い尾流れおよび高い電流密度を減らした。装置は切換えの間にそして短絡の条件の下で例外的な険しさを表わす。これらのによ穴IGBTsはまたそれらを揺れ止めなしのハード切換えの適用にとって理想的にさせる1200Vの絶縁破壊電圧まで正方形の逆バイアスに安全運転区域（RBSOA）を提供する。超低V坐ったIGBTは5kHz切換えまで提供する。IXYS XPT第4の世代別堀IGBTsは肯定的なコレクターにエミッターの電圧温度係数を含んでいる。これはデザイナーがゲート ドライブ条件および転換の損失を減らすのを助ける低いゲート充満会うのに多数装置を並行して使用することを可能にするおよび高い現在の条件に。
典型的な適用は充電器、ランプのバラスト、モーター ドライブ、力インバーター、力率訂正（PFC）回路、スイッチ モード電源、無停電電源装置（UPS）、および溶接機を含んでいる。
特徴
- 専有XPTの薄ウエファーの技術および最新式の第4世代別（GenX4™）堀IGBTプロセスを使用して成長する
- 低いオン州の電圧- Vセリウム（坐った）
- 5kHz切換えまで
- Vの肯定的な熱係数セリウム（坐った）
- 高速切換えのために最大限に活用される（60kHzまで）
- 短絡の機能（10µs）
- 正方形RBSOA
- 超高速のanti-parallelダイオード（音波FRD™）
- ハード切換えの機能
- 高い発電密度
- ダイオード前方電圧Vの一定温度F
- 低いゲート ドライブ条件
- 国際規格のパッケージ
適用
- 充電器
- ランプのバラスト
- モーター ドライブ
- 力インバーター
- PFC回路
- スイッチ モード電源
- UPS
- 溶接機
指定
- 公有地
- 1200V VCES
- 20A IC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1.9V Vセリウム（坐った）
- 160ns tfi （タイプ）
- IXYA20N120B4HV
- ≤2.1V Vセリウム（坐った）
- 90ns tfi （タイプ）
- IXYA20N120C4HV
- ≤2.5V Vセリウム（坐った）
- 58ns tfi （タイプ）
穴TO-264を通したIXYK110N120A4 IGBT力トランジスター1200V 375A 1360W
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