IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片
Brand Name:onsemi
Model Number:NGTB40N120SWG
Minimum Order Quantity:Negotiable
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Price:Negotiable
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住所：
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 16 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品範囲
- Igbt力モジュールのトランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片
Appの特徴
- TJmax = 175°C•柔らかく速い逆の回復ダイオード
- 高速切換えのために最大限に活用される
- 10私達機能をショートさせるため
- これらはPb−Free装置である
基本データ
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| onsemi | |
| 製品カテゴリ: | IGBTのトランジスター |
| RoHS: | 細部 |
| Si | |
| TO-247-3 | |
| 穴を通して | |
| 単一 | |
| 1.2 kV | |
| 2ボルト | |
| 20ボルト | |
| 80 A | |
| 535 W | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 管 | |
| ブランド: | onsemi |
| 最高連続的なコレクター流れIC: | 40 A |
| ゲート エミッターの漏出流れ: | 200 nA |
| 製品タイプ: | IGBTのトランジスター |
| 30 | |
| 下位範疇: | IGBTs |
| 単位重量: | 1.340411 oz |
ダウンロードのデータ用紙
適用
- 段階、コンサート、ネットワーク コミュニケーション、Smartphonesで広く利用されたノートがアダプターのカメラのドングルに動力を与えるラップトップを錠剤にする
順序プロセス
| RFQの形態に部品を加えなさい | RFQを堤出しなさい | 私達は24時間以内に答える |
| 順序を確認する | 支払 | 船あなたの順序 |
破片の図表
IGBT力トランジスターNGTB40N120SWG充満山インバーター溶接の破片
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