回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A

型式番号:IRFS3207ZTRRPBF
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:利用できる量300000部分
受渡し時間:すぐに出荷できる
プロダクト モデル:IRFS3207ZTRRPBF
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住所: COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 16 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

IRFS3207Z力Mosfetの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護75V 170A

記述
  • 力MOSFT 75V 170A 4.1mOhmのD2朴のパッケージの単一のN-Channel HEXFET力MOSFET
指定
製品特質属性値
Infineon
製品カテゴリ:MOSFET
RoHS:細部
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1つのチャネル
75ボルト
170 A
4.1のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
4ボルト
170 NC
- 55 C
+ 175 C
300 W
強化
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
構成:単一
落下時間:68 ns
前方相互コンダクタンス-分:280 S
高さ:4.4 mm
長さ:10のmm
製品タイプ:MOSFET
上昇時間:68 ns
800
下位範疇:MOSFETs
トランジスター タイプ:1つのN-Channel
幅:9.25 mm
部分#別名:IRFS3207ZTRRPBF SP001565050
単位重量:0.139332 oz
適用
  • SMPSの高性能の同期改正
  • 無停電電源装置
  • 高速力の切換え
  • 懸命に転換された高周波回路
利点
  • 改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ
  • 十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
  • 高められたボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dtの機能
  • 無鉛
  • 迎合的なRoHSハロゲンなし
ダウンロードのデータ用紙
順序プロセス

RFQの形態に部品を加えなさいRFQを堤出しなさい私達は24時間以内に答える
順序を確認する支払船あなたの順序

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破片の図表

China 回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A supplier

回路保護のためのIRFS3207Z力の電界効果トランジスタMosfetの破片75V 170A

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