Mcuの電子部品STM32F205ZET6 M24512-DFDW6TP STL285N4F7AG STP70N10F4 ICの破片
型式番号:STL285N4F7AG
最低順序量:交渉される
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:1000PCS
受渡し時間:3-15days
包装の細部:Tray/REEL
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正会員
Shenzhen China
住所：
部屋10bの第10床、電子技術の建物、Huaqiangの北、シンセン
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 34 時間
製品詳細
会社概要
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BomのリストのMcuの電子部品STM32F205ZET6 M24512-DFDW6TP STL285N4F7AG STP70N10F4 ICの破片
製品特質
| タイプ | 記述 |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | |
| Mfr | STMicroelectronics |
| シリーズ | STripFET™ F7 |
| パッケージ | テープ及び巻き枠（TR） |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 40ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 120A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 1.1mOhm @ 24A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 67 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 5600 pF @ 25ボルト |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 188W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | PowerFlat™ （5x6） |
| パッケージ/場合 | 8-PowerVDFN |
| 基礎プロダクト数 | STL285 |
環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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