45ワット12.8V 2の段階パワーアンプのトランジスターRA45H8994M1-101 IECの標準

型式番号:RA45H8994M1-101

原産地:JP

最低順序量:1 部分

支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル

供給の能力:1 年ごとの 10000 部分

受渡し時間:1-2 営業日

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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住所： C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031

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製品詳細会社概要

製品詳細

RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V、2は移動式ラジオのためのAmp. RFのトランジスターを上演します

記述

RA45H8994M1は- 941 MHz範囲へ… 896で作動する12.8ボルトの移動式ラジオのための45ワットRF MOSFETのアンプモジュールです。電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができます。ゲートの電圧1およびゲートの電圧2 （VGG1=VGG2=0V）なしで、小さい漏出流れだけ下水管に流れ、わずかな出力信号（Pout=45W）は60までdBを減少させます。固定すなわち3.4Vがゲートの電圧1に、供給されるとき、ゲートの電圧2として出力電力および下水管の現在の増加は増加します。ゲートの電圧1が3.4Vで保たれる場合の大幅に出力電力および下水管の現在の増加条件の下の0V （最低）のまわりのゲートの電圧2と。わずかな出力電力はVGG2が4V （典型的な）および5V （最高）であること州で利用できるようになります。この時点で、VGG1は3.4Vで保たれなければなりません。VGG1=3.4V及びVGG2=5Vで、典型的なゲートの流れは0.4mAです。このモジュールは非線形FM調節のために設計されていましたり、また線形調節にゲートの電圧の下水管の静止流れを置き、入力パワーとの出力電力を制御することによって使用するかもしれません。

特徴

1の強化モードMOSFETのトランジスター（IDD≅0 @ VDD=12.8V、VGG1=VGG2=0V）

2、Pout>45W、ηT>33% @VDD=12.8V、VGG1=3.4V、VGG2=5V、Pin=50mW

3の広帯域周波数範囲:896-941MHz•RFの放射の改善を簡単にする金属の帽子の構造

4のローパワー制御現在のIGG1+IGG2=0.4mA （typ） @ VGG1=3.4V、VGG2=5V•モジュールのサイズ:67 x 18 x 9.9 mm

5つの線形操作は静止下水管をゲートの電圧と現在置くことおよび入力パワーとの出力電力を制御することによって可能です。

在庫の他の電子部品のリスト
部品番号	MFG/BRAND	部品番号	MFG/BRAND
MV3018SNK-G	MTEKVISI	MN66829AAK1-EB	松下電器産業
TMS320DM643AGDK	チタニウム	DS1921G-F50	ダラス
RT9602PS	RICHTOK	CY7C64215-56LFXC	CYPRESS
LP3965EMP-2.5/NOPB	NS	W9864G6XH-6	WINBOND
DDTA114ECA-7-F	ダイオード	HMC625LP5E	ヒッタイト人
ADR5041AKSZ-R2	ADI	D18P+	小型
MST6100VS-LF	MSTAR	XC6367A291MR	TOREX
BQ24012DRCR	チタニウム	SKY65344-21	SKYWOR
STV0701	ST	HSDL-3201#021	AGILENT
R1283K001A-TR	RICOH	VS202CSE	VOSSEL
NAS7820-AABCF	PLX	SN75450BN	チタニウム
LE89830JSC	LEGERIT	ML6694CQ	ML
LB2518T4R7M	ソニー	IPA60R125CP	INFINEON
TM6010-LF-D	三叉の矛	ADR366AUJZ-REEL7	ADI
IDT72V51256L7-5BB	IDT	WM8955BLGECO/RV	WM
DSPIC33FJ128GP706-I/PTB22	マイクロチップ	MC68VZ328VF	MOTO
BQ24314ADSGR	チタニウム	MC100LVEL16DTG
7110-1511-000	RADIALL	BD14010S	フェアチャイルド
TEMSVA1A106M8R	NEC	AT5210-2.8KM4R	IAT
FPF2109	フェアチャイルド	TAR5S33	東芝