STP45N10F7はICの破片Nチャネル力のMOSFETs 100Vを0.013オームのタイプ45A統合した
型式番号:STP45N10F7
原産地:中国
最低順序量:最も小さい包装/接触私達
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2-3仕事日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
STP45N10F7 MOSFETのN-channel 100 V 0 013オームのタイプ45 STMicroelectronics
STP45N10F7は高圧、high-current、高速切換えおよび高性能力転換の適用のために適した力のfield-effectのトランジスター（MOSFET）破片である。次はSTP45N10F7破片のある適用シナリオである:
力管理:STP45N10F7破片は電源スイッチ、DC-DCのコンバーターおよび力インバーターのような力管理適用で使用し高性能のエネルギー変換および制御を達成できる。
モーター ドライブ:モーター ドライブでSTP45N10F7破片が高速、および安定性が高い運動制御を達成するのに、ファン、ポンプ、電気自動車、等のような、高性能使用する、ことができる。
電気溶接機:STP45N10F7破片は溶接の必要性を満たす強力な、高速切換えを実現できる電気溶接機で電源スイッチに使用することができる。
太陽インバーター:STP45N10F7破片は交流に世帯および商業電気の必要性を満たすために太陽電池パネルによって集められる電気エネルギーを変えることができる太陽インバーターで使用することができる。
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STP45N10F7はICの破片Nチャネル力のMOSFETs 100Vを0.013オームのタイプ45A統合した
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