SPD06N80C3 NチャネルMOSFET 800V 6A (Ta)の83W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3

型式番号:SPD06N80C3
原産地:中国
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SPD06N80C3 N-Channel MOSFET 800V 6A (Ta)の83W (Tc)表面の台紙PG-TO252-3

FETのタイプN-Channel
技術MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)800V
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C6A (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V
(最高) @ ID、VgsのRds900mOhm @ 3.8A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID3.9V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs41nC @ 10V
Vgs (最高)±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds785pF @ 100V
FETの特徴-
電力損失(最高)83W (Tc)
実用温度-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け表面の台紙

 

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