NチャネルMOSFETの集積回路ICの破片200V 7.6A 83Wの表面の台紙DPAK FDD10N20LZTM
型式番号:FDD10N20LZTM
原産地:中国
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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FDD10N20LZTMのN-Channel MOSFET 200V 7.6A 83Wの表面の台紙DPAK
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NチャネルMOSFETの集積回路ICの破片200V 7.6A 83Wの表面の台紙DPAK FDD10N20LZTM
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