Nは穴TO-247AC 200V 50A 300Wを通してMOSFETの集積回路の部品IRFP260Nを運びます
型式番号:IRFP260N
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
穴TO-247ACを通したIRFP260NのN-Channel MOSFET 200V 50A 300W
特徴
高度の加工技術
動的dv/dtの評価
175°C実用温度
速い切換えか。
評価される十分になだれか。
平行になる容易さか。
簡単なドライブ条件TO-247ACか。
無鉛
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 200V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 50A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 40 mOhm @ 28A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 234nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 4057pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 300W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |
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