IGBT NPT 600V 11A 63Wの集積回路ICの破片IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1の表面の台紙D2PAK
型式番号:IRGS4B60KD1
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
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Shenzhen Guangdong China
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C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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製品詳細
IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1 IGBT NPT 600V 11A 63Wの表面の台紙D2PAK
特徴
•低いVCEはIGBTの技術によって（）非打つ。
•10µs短絡の機能。
•正方形RBSOA。
•肯定的なVCEの（）温度係数。
•175°C.で評価される最高の接合部温度。
利点
•運動制御のための基準の効率。
•険しく一時的な性能。
•低いEMI。
•優秀な現在操作を並行して共有する
| IGBTのタイプ | NPT |
| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） | 600V |
| 現在-コレクター（（最高） IC） | 11A |
| 現在-脈打つコレクター（Icm） | 22A |
| Vce （） （最高） @ Vge、IC | 2.5V @ 15V、4A |
| パワー最高 | 63W |
| 転換エネルギー | 73µJ （）、47µJ （） |
| 入れられたタイプ | 標準 |
| ゲート充満 | 12nC |
| Td （オン/オフ） @ 25°C | 22ns/100ns |
| テスト条件 | 400V、4A、100オーム、15V |
| 逆の回復時間（trr） | 93ns |
| 実用温度 | -55°C | 175°C |
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| ISO15DWR | チタニウム | MT46V32M8P-6TL | ミクロン | |
| CD90-V7830-1ETR | クアルコム | ADL5367ACPZ | ADI | |
| SN74LVCH16374ADLR | チタニウム | UB6232QF | ENE | |
IGBT NPT 600V 11A 63Wの集積回路ICの破片IRGS4B60KD1TRRP IRGS4B60KD1の表面の台紙D2PAK
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