表面の台紙の集積回路ICの破片IRF7413TRPBF F7413 NチャネルMosfet 30V 13A 2.5W
型式番号:IRF7413TRPBF
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRF7413TRPBF F7413のN-Channel MOSFET 30V 13A 2.5Wの表面の台紙
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETs
達成するのに高度の加工の技巧を利用しなさい
ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、
速い切り替え速度と結合され、高耐久化される
HEXFET力のMOSFETsが健康であること装置設計
のために知られていて、非常に有効のをデザイナーに与える
そしていろいろ適用の使用のための信頼できる装置。
SO-8はカスタマイズされるによって変更された
高められた熱特徴のためのleadframe
それをいろいろな力で理想的にさせる多数ダイスの機能
適用。これらの改善を使って、多数装置
劇的に減らされるを用いる適用で使用することができる
板スペース。パッケージは蒸気段階の間設計されている、
赤外線の、または波のはんだ付けする技術。電力損失
0.8Wより大きいの典型的なPCBの台紙で可能である
適用。
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 30V |
| 現在-連続的な下水管（ID） | 13A （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
| Rdsの（最高） | 11 mOhm @ 7.3A、10V |
| Vgs （（最高） Th） | 3V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） | 79nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） | 1800pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 2.5W （Ta） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C |
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| 2N7002PT | NXP | AMC1117-2.5SKFT | AME | |
| MPGC01DN-C123-LF-Z | MPS | TL431N | HTC | |
表面の台紙の集積回路ICの破片IRF7413TRPBF F7413 NチャネルMosfet 30V 13A 2.5W
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