RFは集積回路ICの破片の一般目的SPDT 6GHz 50のオーム75のオーム5V HMC336MS8Gを転換します

型式番号:HMC336MS8G
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
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製品詳細


HMC336MS8G RFスイッチIC一般目的SPDT 6GHz 50オーム、75オーム5V

典型的な適用

このスイッチはDC - 6.0 GHzの使用法のために適している

50オームまたは75オーム システム:

•広帯域

•ファイバ・オプティックス

•転換されたフィルター バンク

•6.0 GHzの下の無線電信

概説

HMC336MS8Gは広帯域非再fl欧州共同体である

安価のtive GaAs MESFET SPDTスイッチ

8の鉛MSOP8Gの表面の台紙のパッケージ

露出された地面のかい。6.0 GHzへのカバーDC、

このスイッチは高い分離および低い挿入を提供する

損失。スイッチは肯定的な制御を使用して作動する

0/+5ボルトの電圧は、fixedバイアスをの要求し

+5V.このスイッチは50オームの使用法のために適している

または75オーム システム。

RFのタイプ一般目的
地勢学吸収性
回路SPDT
周波数範囲DC | 6GHz
分離42dB
挿入損失1.6dB
テスト頻度6GHz
P1dB25dBm
IIP342dBm
特徴-
インピーダンス50オーム、75オーム
電圧-供給5V
実用温度-40°C | 85°C

 

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