フラッシュ・メモリの集積回路ICの破片64Mbは264バイトX 32K SPI 85MHz 8 VDFN AT45DB641E-MWHN-Tのページを捲ります
型式番号:AT45DB641E-MWHN-T
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
AT45DB641E-MWHN-Tのフラッシュ・メモリIC 64Mb （264のバイトx 32Kのページ） SPI 85MHz 8-VDFN
記述
AT45DB641Eは理想的に多種多様のofdigital声に、イメージ適する、1.7V最低、連続インターフェイス順次アクセスフラッシュ・メモリ プログラム コードおよびデータ記憶の適用である。AT45DB641Eはまた非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支える。
AT45DB641Eはまたバイト256/264のの2つのSRAMの緩衝をそれぞれ含んでいる。両方の緩衝の間で入れ込むことは計量値の流れを書くシステムの能力を劇的増加できる。さらに、SRAMの緩衝は付加的なシステム スクラッチ・パッドの記憶として使用しE2PROMの模範化ははめ込み式スリー ステップと（ビットまたはバイトのalterability）読書変更書く操作を容易に扱うことができる。
| 記憶タイプ | 不揮発性 |
| 記憶フォーマット | フラッシュ |
| 技術 | フラッシュ |
| 記憶容量 | 64Mb （264のバイトx 32Kのページ） |
| クロック周波数 | 85MHz |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 8µs、5ms |
| 記憶インターフェイス | SPI |
| 電圧-供給 | 1.7V | 3.6V |
| 実用温度 | -40°C | 85°C |
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| BA10339F-E2 | ROHM | XCHC912BC32CFUR2 | MOTOROLA | |
| AMM56219L/F | AMTEK | LD261 | OSRAMOPTO | |
| 12CWQ10FNTRPBF | IR | B45196E2106K309 | KEMET | |
| MAX233AEWP+ | 格言 | MC13892BJVL | FREESCALE | |
| LP3321J6F | ローパワー | BC848BLT1 | LRC | |
| HX6202-A | HIMAX | 74ACT245SCX | フェアチャイルド | |
| TW8816-DELA3-GR | TECHWELL | STM32F103RBT6 | STM | |
| RT9167A-33GB | RICHTEK | LTC490IS8#TRPBF | LT | |
| BCM56504A1KEB | BROADCOM | LNBP21PD-TR | ST | |
| SI4453DY-T1-E3 | VISHAY | AMS1084CM-3.3 | AMS | |
| RT9362APQV | RICHTEK | TW8826-DELA3-GR | TECHWEII | |
| PAM8803NHR | PAM | PAT1220-C-3DB | SUSUMU | |
| MAX6352LSUK+T | 格言 | V59C1512164QCF3 | 広告宣伝 | |
| EP3SL150F780C4N | ALTERA | TPD4104K | 東芝 | |
| TS3V712ELRTGR | チタニウム | KB817-B | KINGBRIGH | |
| S524L50X51-SCTO | サムスン | AR8132-AL1E | ATHEROS | |
| LMX2350TMB | NS | AM29F040B-55EC | AMD | |
| IFX2931GV33 | INFINEON | FDW6923 | FAI | |
| AO3419 | AOS | BCM6358UKFBG | BROADCOM | |
| ADA4431-1YCPZ-R7 | ADI | LMV831MGX | NSC | |
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