セリウムの標準的な高速CMOSの静的なRam破片10NS IS61WV20488BLL-10MLl
型式番号:IS61WV20488BLL-10MLI
原産地:CN
最低順序量:10個
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:1年ごとの10Kpcs
受渡し時間:1-2 営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IS61WV20488BLL-10MLI 16MBIT高速CMOSの空電のRAM破片10NS 48MINIBGA
| 製造業者 | ISSIの統合されたケイ素の解決株式会社 | |
|---|---|---|
| シリーズ | - | |
| 包装 | 皿 | |
| 部分の状態 | 活動的 | |
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | SRAM | |
| 技術 | SRAM -非同期 | |
| 記憶容量 | 16Mb （2M x 8） | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns | |
| アクセス時間 | 10ns | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 電圧-供給 | 2.4 V | 3.6ボルト | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | |
| パッケージ/場合 | 48-TFBGA | |
| 製造者装置パッケージ | 48-miniBGA （9x11） |
記述
ISSI IS61WV20488ALL/BLLおよびIS64WV20488BLLは非常に高速、低い電力、8ビットCMOSの静的なRAMによる2M単語である。IS61WV20488ALL/BLLおよびIS64WV20488BLLはISSIの高性能CMOSの技術を使用して製造される。革新的な回路設計の技術とつながれるこの信頼性が高いプロセスは高性能および低い電力の消費装置をもたらす。セリウムが（選択解除される）高くある時、装置は電力損失がCMOSの入力レベルと減らすことができる待機モードを仮定する。IS61WV20488ALL/BLLおよびIS64WV20488BLLは単一の電源から作動し、すべての入力はTTL互換性がある。IS61WV20488ALL/BLLおよびIS64WV20488BLLは48球小型BGAおよび44ピンTSOP （タイプII）のパッケージで利用できる。
| 在庫の他の電子部品のリスト | ||||
| 部品番号 | MFG/BRAND | 部品番号 | MFG/BRAND | |
| D65-859 | NEC | IC-PST3632NR | MITSUBISH | |
| AD7416ARZ-REEL7 | ADI | SIHP12N60E-GE3 | VISHAY | |
| 2SC3281-O | 東芝 | PI49FCT3803LX | PERICOM | |
| 933-016/33GTR1206B | TECATE | NJM393CG-TE2 | JRC | |
| SP4082EEN-L/TR | SIPEX | MAX1902EAI+T | 格言 | |
| PI74FCT573TQEX | PERICOM | ST2329IQTR | ST | |
| BSC019N04NSG | INFINEON | NCP562SQ18T1G | ||
| A3150 | AGILENT | BA10358F | ROHM | |
| 1SS226 （T5LのT） | 東芝 | CC2420RTCR | チタニウム | |
| NJM2125F | JRC | TB6585AFTG （OC8 | 東芝 | |
| GTM601W | 選択 | IR3832WMTRPBF | IR | |
| 88E1118RA0-NNC2C000 | MARVELL | HCPL-3700 | FAI | |
| STI5516AUC | ST | EPF10K50EQI240-2 | ALTERA | |
| LFXP3C-3TN100C | 格子 | B39352X6763M100 | EPCOS | |
| DTC113ZKA T146 | ROHM | APX824-26W5G-7 | ダイオード | |
| BCM5695B0KPBG | BROADCOM | PT2256V-S | PTC | |
| EM638165BE-6G | ETRONTECH | PAM3130DEC150 | PAM | |
| QCN-8+ | 小型 | MT1389DE-LPESL | MEDIATEK | |
| PESDNC3D5VU | PRISEMI | MAX549AEUA+T | 格言 | |
| MAX1249BCPE | 格言 | MC79L05ACP | フェアチャイルド | |
セリウムの標準的な高速CMOSの静的なRam破片10NS IS61WV20488BLL-10MLl
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