分離の単位DFB FPの半導体レーザーのない性能の高い発電Cwのデバイス・ドライバ サポート モジュール
型式番号:繊維光学のピグテール同軸DFBの半導体レーザーレーザー モジュール
原産地:中国
最低順序量:10sets
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力:1週あたりの5000pcs
包装の細部:7X25X34CMの箱の10 PC、カートンの50 PC
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Shenzhen Guangdong China
住所：
RM 604 Bldg第9 Yinxingyuan南Rd Nanshan地区518054シンセン中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 28 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
分離の単位DFB FPの半導体レーザーのない性能の高い発電Cwのデバイス・ドライバ サポート モジュール
特徴
Øの作り付けの光学アイソレーター
Øの低いキャパシタンスおよび低い暗電流
Ø
DFBのレーザーの安定性が高い死になさい
Øの低い境界の流れ、低い動作電流
Øの統合された高い分離、低い挿入損失
適用
CATVの逆伝達
他のアナログまたはデジタル光学伝達
絶対最高評価
| 変数 | 記号 | Min. | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 保管温度 | Tstg | -40 | 100 | ℃ | - |
| 実用温度 | 上 | -40 | 85 | ℃ | - |
| 前方現在（LD） | （LD） | 150 | mA | ||
| 逆電圧（LD） | Vr （PD） | 2 | V | ||
| 前方現在（PD） | （LD） | 2 | mA | ||
| 逆電圧（PD） | Vr （PD） | 15 | V | ||
| はんだ付けする臨時雇用者 | - | - | 260 | ℃ | - |
| はんだ付けする時間 | - | - | 10 | S | S |
光学及び電気特徴
| 変数 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | テスト条件 |
| 評価される力 | Po | 6 | 8 | MW | Ith+40mA | |
| 境界の流れ | Ith | 5 | 10 | mA | CW | |
| 作動の操作 | 45 | 55 | mA | CW、P=Po | ||
| 前方電圧低下 | Vop | - | 1.1 | 1.5 | V | CW、Ith+40mA |
| セントの波長 | λc | 1540 | 1550 | 1560 | nm | -3dB |
| スペクトルの幅 | Δλ | - | 0.2 | nm | -20dB | |
| サイド モード抑制の比率 | SMSR | 35 | - | dB | - | |
| 帯域幅（3dB） | Bw | - | 2.5 | GHz | - | |
| モニターの流れ | Im | 0.1 | 0.9 | mA | CW、Ith+40mA | |
| モニターの暗電流 | ID | - | - | 0.1 | uA | 5V |
| 相対的な強度の騒音 | RIN | - | -155 | -150 | dB/Hz | CW、25℃ |
| RFの帯域通過平坦 | BF | ±1.0 | dB | If=Iop、45MHz-2500MHzのT=25 °C | ||
| 第三次のゆがみ | IMD3 | - | -55 | - | dBc | 2つの調子テスト、 |
| 光学分離 | ISO | 30 | 40 | - | dB | 25℃ |
、Pb=0.2mW擬似乱、ノート1. 2.5Gb/s NRZ Ppeak=1.0mW
付加的な条件は友好的な交渉によって解決することができる。
私達はプロダクトへの変更を行なう権利を確保するまたは情報はここに含んでいた
予告なしに。
分離の単位DFB FPの半導体レーザーのない性能の高い発電Cwのデバイス・ドライバ サポート モジュール
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