距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー
型式番号:XL-LD8505
原産地:西安シャンシー中国
最低順序量:100pcs
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1日あたりの1000ダース/ダース
受渡し時間:7日
企業との接触
Add to Cart
サイト会員
住所：
JiuZuo Garden.No. 202.South 2rdリング、蓮湖区、西安都市、シャンシーの地域、中国710077
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 24 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
XL-LD8505小型半導体レーザーレーザーの距離計、共焦点の顕微鏡
●特徴
- 低い動作電流
- 高性能
- 高い信頼性
- 高精度のパッケージ
-赤外線光熱出力:λp =850nm
- パッケージのタイプ:TO-18 （Ø5.6mm）
- 半導体レーザーを監視するための作り付けの写真のダイオード
●TC =25℃の絶対最高評価
| 項目 | 記号 | 評価 | 単位 |
| 光学出力電力 | PO | 7 | MW |
| LDの逆電圧 | VLDR | 2 | V |
| PDの逆電圧 | VPDR | 30 | V |
| PDの前方流れ | IPDF | 10 | mA |
| 操作の温度 | 上 | -10 | +60 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40 | +85 | ℃ |
●TC =25℃の電気および光学特徴
| 項目 | 記号 | 分 | タイプ。 | 最高 | 単位 | 条件 |
| Lasingの波長 | λp | 845 | 850 | 855 | nm | PO =5mW |
| 境界の流れ | Ith | - | 10 | 20 | mA | - |
| 動作電流 | IOP | - | 20 | 30 | mA | PO =5mW |
| 斜面の効率 | η | - | 0.7 | 0.9 | mW/mA | PO =2-5mW |
| モニターの流れ | Im | 0.2 | 0.4 | 0.5 | mA | PO =5MW、VPDR =5V |
| 作動の電圧 | Vop | - | 2.2 | 2.5 | V | PO =5mW |
| 平行発散の角度 | θの‖ | 7 | 9 | 12 | deg | |
| 垂直な発散の角度 | θ⊥ | 25 | 32 | 40 | deg | |
| 平行FFPの偏差角度 | △θの‖ | - | - | ±2 | deg | |
| 垂直なFFPの偏差角度 | △θ⊥ | - | - | ±3 | deg | |
| 放出ポイント正確さ | △Xの△Y、△Z | - | - | ±60 | µm |
LT-LD8505半導体レーザーの技術的なデータ
●Ciruit及び輪郭内部次元（単位:mm）
| いいえ。 | 部品 | 材料 | 終わり |
| ① | 半導体レーザーの破片 | AlGaInP/GaAlAs | - |
| ② | 茎 | Fe | めっきされるAu |
| ③ | 帽子 | 45合金 | Ni+Pdはめっきした |
| ④ | 窓ガラス | ホウケイ酸ガラス | タイプ。n=1.516 （λp = 830nm） |
| ⑤ | 鉛ピン | Kovar | めっきされるAu |
絶対最高評価（Tc=25℃ （ノート1））
| 変数 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 光学出力（CW） （ノート2） | Po | 700 | MW |
| 光学出力（脈拍） （ノート3） | PP | 2,000 | MW |
| 逆電圧 | Vrl | 2 | V |
| 実用温度（場合温度） | 上（c） | -10 | +70 | ℃ |
| 保管温度 | Tstg | -40 | +85 | ℃ |
| はんだ付けする温度（ノート4） | Tsld | 350 | ℃ |
（ノート1） Tc:場合温度
（ノート2） CW:モールス式電信符号波操作
（ノート3）の脈拍:脈拍操作（脈拍幅:1μs義務:10%）
（ノート4）のはんだ付けする温度の平均のはんだごての先端温度（力20W）はんだ付けしている間。
はんだ付けする位置は場合のボトム エッジから離れて1.6mmである。（液浸の時間:≦3s）
| 変数 | 記号 | 条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| 境界の流れ | Ith | - | - | 250 | T.B.D. | mA |
| 動作電流 | IOP |
Po=700mW | - | 870 | T.B.D. | mA |
| 作動の電圧 | Vop | - | 2 | T.B.D. | V | |
| 波長 | λp | 840 | 850 | 860 | nm | |
| 1/e2強度の角度（平行） （ノート2,3,4） | θ∥ （1/e2） | T.B.D. | 13.5 | T.B.D. | ° | |
| 1/e2強度の角度（垂直） （ノート2,3） | θ⊥ （1/e2） | T.B.D. | 40 | T.B.D. | ° | |
| ミスアラインメントの角度（平行） （ノート3） | Δθ∥ （1/e2） | -5 | - | 5 | ° | |
| ミスアラインメントの角度（垂直） （ノート3） | Δθ⊥ （1/e2） | -5 | - | 5 | ° | |
| 差動効率 | ηd | 600mW I （700mW） -私（100mW） | 0.7 | 1.0 | 1.3 | mW/mA |
| よじれさせなさい（ノート5） | K-LI | P1=140mW、P2=420mW P3=700mW | -10 | - | 10 |
|
距離計の共焦点の顕微鏡850nmの半導体レーザー
お問い合わせカート
0